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    Silicon nanowires integrated with CMOS circuits for biosensing application
    JAYAKUMAR, G ; ASADOLLAHI, A ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 98 (2014), S. 26-31
    academicJournal
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    MOSFET modeling for design of ultra-high performance infrared CMOS imagers working at cryogenic temperatures: Case of an analog/digital 0.18 μm CMOS process
    MARTIN, P ; ROYET, A. S ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 62 (2011), Heft 1, S. 115-122
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparison between TCAD simulated and measured carrier lifetimes in CMOS photodiodes using the Open Circuit Voltage Decay method
    MARCELOT, O ; MAGNAN, P
    In: Solid-state electronics, Jg. 81 (2013), S. 135-139
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A novel low temperature integration of hybrid CMOS devices on flexible substrates
    GOWRISANKER, S ; QUEVEDO-LOPEZ, M. A ; et al.
    In: Organic electronics (Print), Jg. 10 (2009), Heft 7, S. 1217-1222
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    UV lithography-based protein patterning on silicon: Towards the integration of bioactive surfaces and CMOS electronics
    LENCI, S ; TEDESCHI, L ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 257 (2011), Heft 20, S. 8413-8419
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A CMOS low noise amplifier with integrated front-side micromachined inductor
    BEN YISHAY, Roee ; STOLYAROVA, Sara ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 42 (2011), Heft 5, S. 754-757
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low-noise low-power CMOS preamplifier for multisite extracellular neuronal recordings
    BOTTINO, Emanuele ; MASSOBRIO, Paolo ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 40 (2009), Heft 12, S. 1779-1787
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Three-solenoid windings transformer baluns on CMOS-grade silicon substrate
    ZHENGZHENG, WU ; XIN, WANG ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 87 (2010), Heft 2, S. 150-158
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CMOS optoelectronic components for clock distribution
    POWNALL, Robert ; THANGARAJ, Charles ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 87 (2010), Heft 10, S. 1838-1845
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Advanced SOI CMOS transistor technology for high performance microprocessors
    HORSTMANN, M ; WIATR, M ; et al.
    In: Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference 2009, ULIS 2009, Jg. 53 (2009), Heft 12, S. 1212-1219
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Array of concentric CMOS photodiodes for detection and de-multiplexing of spatially modulated optical channels
    MURSHID, Syed H ; IQBAL, Jamil
    In: Optics and laser technology, Jg. 41 (2009), Heft 6, S. 764-769
    academicJournal
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    Planarization of CMOS ROIC dies for uncooled detectors
    HONGCHEN, WANG ; XINJIAN, YI ; et al.
    In: Infrared physics & technology, Jg. 47 (2006), Heft 3, S. 251-256
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Quantitative prediction of junction leakage in bulk-technology CMOS devices
    DUFFY, R ; HERINGA, A ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 3, S. 243-251
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Fully CMOS-compatible top-down fabrication of sub-50 nm silicon nanowire sensing devices
    GEORGIEV, Yordan M ; PETKOV, Nikolay ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 118 (2014), S. 47-53
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Low-power compact composite field AES S-Box/Inv S-Box design in 65 nm CMOS using Novel XOR Gate
    AHMAD, Nabihah ; REZAUL HASAN, S. M
    In: Integration (Amsterdam), Jg. 46 (2013), Heft 4, S. 333-344
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Integrations and challenges of novel high-k gate stacks in advanced CMOS technology
    GANG, HE ; LIQIANG, ZHU ; et al.
    In: Progress in materials science, Jg. 56 (2011), Heft 5, S. 475-572
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A 0.9-V, 7-mW UWB LNA for 3.1―10.6-GHz wireless applications in 0.18-μm CMOS technology
    SLIMANE, Abdelhalim ; TRABELSI, M ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 42 (2011), Heft 11, S. 1263-1268
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Design of silicon brains in the nano-CMOS era: Spiking neurons, learning synapses and neural architecture optimization
    CASSIDY, Andrew S ; GEORGIOU, Julius ; et al.
    In: Neuromorphic Engineering: From Neural Systels to Brain-Like Engineered Systems, Jg. 45 (2013), S. 4-26
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Virtually dopant-free CMOS: Midgap Schottky-barrier nanowire field-effect-transistors for high temperature applications
    WESSELY, F ; KRAUSS, T ; et al.
    In: Selected Papers from the ESSDERC 2011 Conference, Jg. 74 (2012), S. 91-96
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    PNP PIN bipolar phototransistors for high-speed applications built in a 180 nm CMOS process
    KOSTOV, P ; GABERL, W ; et al.
    In: Selected Papers from the ESSDERC 2011 Conference, Jg. 74 (2012), S. 49-57
    academicJournal
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