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    OLED Microdisplay With Monolithically Integrated CAAC-OS FET and Si CMOS Achieved by Two-Dimensionally Arranged Silicon Display Drivers
    Kozuma, M. ; Komura, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 187-194
    Online academicJournal
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    1-Mbit 3-D DRAM Using a Monolithically Stacked Structure of a Si CMOS and Heterogeneous IGZO FETs
    Hirose, T. ; Okamoto, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 236-242
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Design and Thermal Analysis of 2.5D and 3-D Integrated System of a CMOS Image Sensor and a Sparsity-Aware Accelerator for Autonomous Driving
    Sharda, J. ; Manley, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 426-432
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Silicon Wafer Gettering Design for Advanced CMOS Image Sensors Using Hydrocarbon Molecular Ion Implantation: A Review
    Kurita, K. ; Kadono, T. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 720-727
    Online academicJournal
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    Volltext
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    3-D Monolithic Stacking of Complementary-FET on CMOS for Next Generation Compute-In-Memory SRAM
    Baig, M.A. ; Yeh, C. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 11 (2023), S. 107-113
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Characterization and Modeling of Self-Heating in Nanometer Bulk-CMOS at Cryogenic Temperatures
    T Hart, P.A. ; Babaie, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 891-901
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Single-Crystalline Si-CMOS Circuit Fabrication on Polyethylene Terephthalate Substrate by Meniscus Force-Mediated Layer Transfer
    Mizukami, R. ; Yamashita, T. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 943-948
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Thermal Analysis of Ultimately-Thinned-and-Transfer-Bonded CMOS on Mechanically Flexible Foils
    Philippe, J. ; Bhaskar, A. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 973-978
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Effects of Forming Gas Annealing and Channel Dimensions on the Electrical Characteristics of FeFETs and CMOS Inverter
    Sung, P. ; Su, C. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 474-480
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Comprehensive n- and pMOSFET Channel Material Benchmarking and Analysis of CMOS Performance Metrics Considering Quantum Transport and Carrier Scattering Effects
    Kim, R. ; Avci, U.E. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 505-523
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Fabrication of CMOS Invertors in Si Thin-Film-Transistors by Laser Doping Using a Chemical Solution Coating
    Imokawa, K. ; Kurashige, T. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 27-32
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    InGaAs FinFETs 3-D Sequentially Integrated on FDSOI Si CMOS With Record Performance
    Convertino, C. ; Zota, C.B. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 1170-1174
    Online academicJournal
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    Design and Characterization of a Silicon Photomultiplier in 0.35- ${\mu }\text{m}$ CMOS
    D'Ascenzo, N. ; Brockherde, W. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 74-74
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Monolithic Integration of Si-CMOS and III-V-on-Si Through Direct Wafer Bonding Process
    Lee, K.H. ; Wang, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 571-571
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Simulation Study of Vertically Stacked Lateral Si Nanowires Transistors for 5-nm CMOS Applications
    Al-Ameri, T. ; Georgiev, V.P. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017-11-01), Heft 6, S. 466-466
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Gettering Sinks for Metallic Impurities Formed by Carbon-Cluster Ion Implantation in Epitaxial Silicon Wafers for CMOS Image Sensor
    Onaka-Masada, A. ; Okuyama, R. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 1200-1200
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Cryogenic Temperature Characterization of a 28-nm FD-SOI Dedicated Structure for Advanced CMOS and Quantum Technologies Co-Integration
    Galy, P. ; Camirand Lemyre, J. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 594-594
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact
    Kawanago, T. ; Kajikawa, R. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 11 (2023), S. 15-21
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    2.4 kV Vertical GaN PN Diodes on Free Standing GaN Wafer Using CMOS-Compatible Contact Materials
    Liu, X. ; Chiu, H. C. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 825-825
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    SPICE Modeling and Circuit Demonstration of a SiC Power IC Technology
    Liu, T. ; Zhang, H. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 129-138
    Online academicJournal
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