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    Effet tunnel dans la diode émetteur/base d'un transistor bipolaire compatible CMOS dédié à la RF / Tunneling in an emitter diode developed for a CMOS compatible bipolar structure for radiofrequency
    LATRECHE, S ; GONTRAND, C
    In: Physica status solidi. B. Basic research, Jg. 214 (1999), Heft 1, S. 203-215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Expérience en technologie à 3 microns: un procédé CMOS 10 volts à puits n / 3 μm technology experimentation: a 10 V n-well CMOS method
    BEERNAERT, D
    In: Revue des Télécommunications, Jg. 58 (1984), Heft 3-4, S. 398-404
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Non-uniformité de la distribution spatiale des états de surface dans le canal des transistors CMOS / Non uniformity of surface state space distribution in the channel of CMOS transistors
    BALLAND, B ; PLOSSU, C ; et al.
    In: Revue de physique appliquée, Jg. 23 (1988), Heft 11, S. 1837-1845
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Nouvelles avancées en bolométrie à base de silicium amorphe pour le marché grand public : Les composants optoélectroniques / New developments in amorphous silicon bolometry for the consumer market
    MOTTIN, E
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2002, Heft 9, S. 51-55
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    TECHNOLOGIE CMOS A GRILLE EN SILICIUM POLYCRISTALLIN: TECHNOLOGIE AUX RESSOURCES MULTIPLES POUR LES CIRCUITS HORLOGERS.
    GERBER, B
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Utilisation des filières technologiques silicium : Les composants spécifiques pour les fonctions télécoms : Nouveaux composants pour les télécommunications / New components for telecommunications / Trends in silicon technologies
    AVELINE, F ; ROLLAND, R
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 1996, Heft 5, S. 17-20
    academicJournal
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    Impact de la technologie des VLSI à la demande / Impact of custom VLSI technology
    PRIVETT, R. F ; VAN ISEGHEM, P
    In: Revue des Télécommunications, Jg. 58 (1984), Heft 3-4, S. 364-371
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dopage laser en microélectronique / Laser doping in microelectronics
    SARNET, T ; HERNANDEZ, M ; et al.
    In: 8ème Colloque national sur les sources cohérentes et incohérentes UV, VUV, Jg. 138 (2006), S. 203-212
    Konferenz
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    Nano-optique et cristaux photoniques silicium : Les nanontechologies / Nano-optics and silicon photonic crystals
    SOTTA, D ; ZELSMANN, M ; et al.
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2004, Heft 1, S. 31-39
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Les architectures innovantes sur silicium mince: Un second souffle pour la loi de Moore ? : L'électronique nanométrique / Innovative architectures on thin silicon : Second lease of life for Moore's law?
    AUTRAN, J. L ; MUNTEANU, D
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2003, Heft 8, S. 21-31
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Un nouveau modèle de codiffusion dans le silicum polycristallin utilisé en technologie BiCMOS / A new model for codiffusion in polycrystalline silicon specified to BiCMOS technology
    GONTRAND, C ; HADDAB, Y ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 10 (1995), Heft 10, S. 1393-1403
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Caractérisation des états d'interface dans des transistors MOS submicroniques par différentes techniques de pompage de charge
    Characterization of interface states in submicrometer MOS transistors by different charge pumping techniques
    In: Journal de physique. III (Print), Jg. 3 (1993), Heft 10, S. 1947-1961
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Le progrès des technologies des circuits et leurs limites énergétique, économique et physique dans le contexte du Calcul de Haute Performance : Le calcul à hautes performances: urgences scientifique, impératif industriel / Progress and Energetic, Economical and Physical Limits Related to Circuits Technologies in High Performance Computing : Hight performance computing: Scientific Prequiste, Industrial Constraint
    LERAY, Jean-Luc ; FANET, Hervé
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2009, Heft 11
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    PROBLEMES D'ADAPTATIONS DES PHOTOPILES EN VUE D'APPLICATIONS TERRESTRES. / PROBLEMS RELATIVE TO THE ADAPTATION OF PHOTOCELLS TO TERRESTRIAL APPLICATIONS
    NAAIJER, GJ
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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