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    OLED Microdisplay With Monolithically Integrated CAAC-OS FET and Si CMOS Achieved by Two-Dimensionally Arranged Silicon Display Drivers
    Kozuma, M. ; Komura, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 187-194
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    DrGaN: an Integrated CMOS Driver-GaN Power Switch Technology on 300mm GaN-on-Si with E-mode GaN MOSHEMT and 3D Monolithic Si PMOS
    Then, Han Wui ; Radosavljevic, M. ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    3.6-pJ/Spike, 30-Hz Silicon Neuron Circuit in 0.5-V, 65-nm CMOS for Spiking Neural Networks
    Vuppunuthala, S. ; Pasupureddi, V.S.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 2906-2910
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Leakage Reduction of GAA Stacked SI Nanosheet CMOS Transistors and 6T-SRAM Cell Via Spacer Bottom Footing Optimization
    Yao, Jiaxin ; Zhang, Xuexiang ; et al.
    In: 2023 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2023-06-26, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Experimental Analysis and Modeling of Self-Heating and Thermal Coupling in 28 nm FD-SOI CMOS Transistors Down to Cryogenic Temperatures
    Bergamaschi, F.E. ; Frutuoso, T.M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 2598-2604
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Forksheet Field-Effect Transistors for Area Scaling and Gate-Drain Capacitance Reduction in Nanosheet-based CMOS Technologies
    Mertens, H. ; Horiguchi, N.
    In: 2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2024-03-03, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    SiGe/Si Superlattice Ferroelectric HfZrO2 ΩFET and CMOS Inverter With SSmin,n = 62.4 mV/dec, ION/IOFF > 1.0 × 107, and Voltage Gain = 111.4 V/V
    Yao, Y. ; Tseng, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-02-01), Heft 2, S. 260-263
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    1-Mbit 3-D DRAM Using a Monolithically Stacked Structure of a Si CMOS and Heterogeneous IGZO FETs
    Hirose, T. ; Okamoto, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 236-242
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Low-Frequency Noise of 4H-SiC CMOS Technology for Analog ICs
    Masunaga, M.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-06-01), Heft 6, S. 3228-3233
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Qubit Bias using a CMOS DAC at mK Temperatures
    Otten, R. ; Schreckenberg, L. ; et al.
    In: 2022 29th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), 2022-10-24, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    6.6W/mm 200mm CMOS compatible AlN/GaN/Si MIS-HEMT with in-situ SiN gate dielectric and low temperature ohmic contacts
    Morvan, E. ; Gobil, Y. ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 2.6-GHz I/O Buffer for DDR4 & DDR5 SDRAMs in 16-nm FinFET CMOS Process
    Ke, Jhih-Ying ; Santos Tolentino, Lean Karlo ; et al.
    In: 2023 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS), 2023-11-19, S. 271-275
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High Mobility TMD NMOS and PMOS Transistors and GAA Architecture for Ultimate CMOS Scaling
    Penumatcha, A. ; O'Brien, K. P. ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A Novel Gain Enhanced Folded Cascode OPAMP in 28nm CMOS Technology
    Kumar, Ravi ; Nagulapalli, Rajasekhar ; et al.
    In: 2022 International Conference on Electrical, Computer and Energy Technologies (ICECET), 2022-07-20, S. 1-4
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    First Integration of 10-V CMOS Logic Circuit, 20-V Gate Driver, and 600-V VDMOSFET on a 4H-SiC Single Chip
    Tsui, B. Y. ; Hung, C. L. ; et al.
    In: 2022 IEEE 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2022-05-22, S. 321-324
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Transport characterization of CMOS-based devices fabricated with isotopically-enriched 28Si for spin qubit applications
    Elbaz, G. ; Casse, M. ; et al.
    In: ESSDERC 2023 - IEEE 53rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2023-09-11, S. 5-8
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Si Interlayers Trimming Strategy in Gate-All-Around Device Architecture for Si and SiGe Dual-Channel CMOS Integration
    Zhao, F. ; Li, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-12-01), Heft 12, S. 6163-6168
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Investigation of Fabricated CMOS FishboneFETs and TreeFETs With Strained SiGe Nano-Fins on Bulk-Si Substrate
    Cao, L. ; Zhang, Q. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-09-01), Heft 9, S. 1396-1399
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    All Silicon Microdisplay Fabricated Utilizing 0.18 μm CMOS-IC With Monolithic Integration
    Li, Z. ; Zhu, K. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 14 (2022-04-01), Heft 2, S. 1-5
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Enhancement-Mode 300-mm GaN-on-Si(111) With Integrated Si CMOS for Future mm-Wave RF Applications
    Then, H.W. ; Radosavljevic, M. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 33 (2023-06-01), Heft 6, S. 835-838
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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xs 0 - 576
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