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    Strained SOI/SGOI dual-channel CMOS technology based on the Ge condensation technique
    Moriyama, Y. ; Mizuno, Tomohisa ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2006-11-30), S. S93- (6S.)
    Online unknown
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    Monolithic CMOS-compatible AlGaInP visible LED arrays on silicon on lattice-engineered substrates (SOLES)
    Mori, Michael J. ; Fitzgerald, Eugene A. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2006-11-24), S. 29-34
    Online unknown
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    Evaluation of strained Si/SiGe material for high performance CMOS
    Kwa, K.S.K. ; Robbins, D. J. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 19 (2004-04-09), S. 707-714
    Online unknown
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    SiGe CMOS fabrication using SiGe MBE and anodic/LTO gate oxide
    Parker, Evan H. C. ; Waite, A.M. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 15 (2000-02-01), S. 135-138
    Online unknown
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    Efficient premature edge breakdown prevention in SiAPD fabrication using the standard CMOS process
    Kamrani, Ehsan ; Lesage, Frédéric ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 28 (2013-02-25), S. 045008-45008
    Online unknown
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    Oxygen precipitation in silicon during CMOS processing: an FTIR microspectroscopic, X-ray topographic and TEM study of spatial variation in defect formation
    M A Emmott ; Brown, J ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 4 (1989-09-01), S. 701-710
    Online unknown
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    Design of compact, high-speed and low-loss silicon-on-silica electro-optic modulators
    Fikry, W. ; Selim, Dalia ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 35 (2020-07-31), S. 095017-95017
    Online unknown
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    C–V characterization of strained Si/SiGe multiple heterojunction capacitors as a tool for heterojunction MOSFET channel design
    Driscoll, L.S. ; Chattopadhyay, Sanatan ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 18 (2003-07-02), S. 738-744
    Online unknown
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    Key influence of the thermal history on process-induced defects in Czochralski silicon wafers
    Kissinger, Gudrun ; Richter, H. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 12 (1997-07-01), S. 933-937
    Online unknown
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    Strained-Si heterostructure field effect transistors
    Maiti, C. K. ; Chattopadhyay, Sanatan ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 13 (1998-11-01), S. 1225-1246
    Online unknown
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    Stress analysis of ultra-thin silicon chip-on-foil electronic assembly under bending
    Angelopoulos, Evangelos A. ; Richter, Harald ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 29 (2014-08-01), S. 095007-95007
    Online unknown
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    Processing and characterization of a PBT device using self-aligned CoSi2
    Hatzikonstantinidou, Sofia ; Kaplan, W ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 9 (1994-12-01), S. 2272-2277
    Online unknown
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    Strategies for integration of lasers on silicon
    Mark Anthony Gubbins ; Bower, Christopher A. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 28 (2013-08-21), S. 094001-94001
    Online unknown
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    DC baseband and high-frequency characteristics of a silicon nanowire field effect transistor circuit
    Hwang, Chih-Hong ; Li, Yiming
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 24 (2009-02-27), S. 045004-45004
    Online unknown
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    [Untitled]
    In: Semiconductor Science and Technology
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    Key influence of the thermal history on process-induced defects in Czochralski silicon wafers
    KISSINGER, G ; GRÄF, D ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 12 (1997), Heft 7, S. 933-937
    Online academicJournal
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    III–V semiconductor devices integrated with silicon
    Martin, Trevor ; Peter Michael Smowton ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 28 (2013-08-21), S. 090301-90301
    Online unknown
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    Experimental silicon tunnel-FET device model applied to design a Gm-C filter
    Rangel, Roberto ; Paula Ghedini Der Agopian ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 35 (2020-08-11), S. 095029-95029
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Fabrication and characterization of sensitive vertical P-i-N germanium photodiodes as infrared detectors
    André, L. ; Hartmann, J.M. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 35 (2020-02-14), S. 035013-35013
    Online unknown
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    Strain relaxation in strained-Si layers on SiGe-on-insulator substrates
    Toyoda, Eiji ; Takagi, Shinichi ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2006-11-28), S. S21- (5S.)
    Online unknown
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