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    A novel nickel SALICIDE process technology for CMOS devices with sub-40 nm physical gate length
    Lu, J.P. ; Miles, D. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 371-374
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A 0.25/spl mu/m CMOS based 70V smart power technology with deep trench for high-voltage isolation
    Parthasarathy, V. ; Zhu, R. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 459-462
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Advanced Si/sub 1-x/Gex source/drain and contact technologies for sub-70 nm CMOS
    Ozturk, M.C. ; Liu, Jing ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 375-378
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Novel locally strained channel technique for high performance 55nm CMOS
    Ota, K. ; Sugihara, K. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 27-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    25 nm CMOS Omega FETs
    Yang, Fu-Liang ; Chen, Hao-Yu ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 255-258
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Saddle add-on metallisation (SAM) for RF inductor implementation in standard IC interconnects
    Rejaei, B. ; Burghartz, J.N. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 467-470
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A high performance 90nm SOI technology with 0.992 /spl mu/m2 6T-SRAM cell
    Khare, M. ; Ku, S.H. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 407-410
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A novel silicon Geiger-mode avalanche photodiode
    Jackson, J.C. ; Morrison, A.P. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 797-800
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A functional FinFET-DGCMOS SRAM cell
    Nowak, E.J. ; Rainey, B.A. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 411-414
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 90 nm logic technology featuring 50 nm strained silicon channel transistors, 7 layers of Cu interconnects, low k ILD, and 1 /spl mu/m/sup 2/ SRAM cell
    Thompson, S. ; Anand, N. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 61-64
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    FinFET scaling to 10 nm gate length
    Yu, Bin ; Chang, Leland ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 251-254
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Strained silicon MOSFET technology
    Hoyt, J.L. ; Nayfeh, H.M. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 23-26
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    I-MOS: a novel semiconductor device with a subthreshold slope lower than kT/q
    Gopalakrishnan, K. ; Griffin, P.B. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 289-292
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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