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    Nondestructive Spectroscopic Investigation of N-Type 4H-SiC Defects Irradiated With Low Fluence 16.5 MeV/u Ta Ions
    Mao, B. ; Zhao, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 154-159
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    academicJournal
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    Aspects of Highly-channeled MeV Implants of Dopants in Si(100)
    Current, Michael ; Hobler, Gerhard ; et al.
    In: 2019 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT), 2019-06-01, S. 1-6
    Konferenz
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Channeled MeV B, P and As Profiles in Si(100): Monte-Carlo Models and SIMS
    Current, Michael ; Kawasaki, Yoji ; et al.
    In: 2018 22nd International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), 2018-09-01, S. 251-254
    Konferenz
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Monitoring of Dose Dependent Damage in MeV Energy Hydrogen Implanted Silicon by Photo-Modulated Reflectance Measurements
    Szivos, J. ; Balogh, L. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 761-768
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Applicability and extrapolation model for SEE characterization using 14 MeV neutron
    Weulersse, Cecile ; Guibbaud, Nicolas ; et al.
    In: 2016 16th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2016-09-01, S. 1-5
    Konferenz
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    Characterization of the Effects of 250 MeV Proton-Induced Total Ionizing Dose and Displacement Damage on the HCPL-625K Optocoupler
    Messenger, Scott ; Mishler, Codie ; et al.
    In: 2019 IEEE Radiation Effects Data Workshop, 2019-07-01, S. 1-5
    Konferenz
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    A analytical study of depth profiling for MeV implants by using Monte Carlo and Taurus models
    Mastanbasheer, S. ; Sheu, G. ; et al.
    In: 2017 6th International Symposium on Next Generation Electronics (ISNE), 2017-05-01, S. 1-3
    Konferenz
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    SIMULATED 8 MeV NEUTRON RESPONSE FUNCTIONS OF A THIN SILICON NEUTRON SENSOR.
    Takada, M ; Matsumoto, T ; et al.
    In: Radiation protection dosimetry, Jg. 180 (2018-08-01), Heft 1-4, S. 372-376
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Impaired Attentional Set-Shifting Performance after Exposure to 5 cGy of 600 MeV/n <superscript>28</superscript> Si Particles.
    Britten, RA ; Jewell, JS ; et al.
    In: Radiation research, Jg. 189 (2018-03-01), Heft 3, S. 273-282
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    academicJournal
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Monte-Carlo prediction of single-event characteristics of 65 nm CMOS SRAM under hundreds of MeV/n heavy-ions in space
    Zhang, Zhangang ; Lei, Zhifeng ; et al.
    In: 2016 16th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2016-09-01, S. 1-4
    Konferenz
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    Investigation of 14 MeV Neutron Capabilities for SEU Hardness Evaluation
    Miller, F. ; Weulersse, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-08-01), Heft 4, S. 2789-2796
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    14 MeV Neutrons SEU Cross Sections in Deep Submicron Devices Calculated Using Heavy Ion SEU Cross Sections
    Haran, A. ; Barak, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-01), Heft 3, S. 848-854
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Application of proton irradiation with energy over 10 MeV for reverse recovery characteristics control of high voltage freewheeling diodes
    Chernikov, A. A. ; Pisarev, A. A. ; et al.
    In: 2015 17th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'15 ECCE-Europe), 2015-09-01, S. 1-8
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Single-crystal CVD diamond detector for low-energy charged particles with energies ranging from 100 keV to 2 MeV
    Sato, Yuki ; Murakami, Hiroyuki ; et al.
    In: 2015 4th International Conference on Advancements in Nuclear Instrumentation Measurement Methods and their Applications (ANIMMA), 2015-04-01, S. 1-5
    Konferenz
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    academicJournal
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Electrical properties of semi-insulating GaAs irradiated with 5 MeV electrons
    Bohacek, P. ; Zat'ko, B. ; et al.
    In: The Tenth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, 2014-10-01, S. 1-4
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    5 MeV proton and 15 MeV electron radiation effects study on 4H-SiC nMOSFET electrical parameters
    Alexandru, M. ; Florentin, M. ; et al.
    In: 2013 14th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2013-09-01, S. 1-6
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    Comparisons of LET Distributions for Protons with Energies between 50 and 200 MeV Determined Using a Spherical Tissue-Equivalent Proportional Counter (TEPC) and a Position-Sensitive Silicon Spectrometer (RRMD-III)
    Borak, T. B. ; Doke, T. ; et al.
    In: Radiation Research, Jg. 162 (2004-12-01), Heft 6, S. 687-692
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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