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    TEM and LTPL Investigations of 3C-SiC Layers Grown by LPE on (100) and (111) 3C-SiC Seeds : Silicon carbide and related materials 2009: selected peer reviewed papers from the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, Nurnberg, Germany, October 11-16, 2009
    Marinova, M. ; Zoulis, G. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 645-648 (2010), Heft 1, S. 383-386
    Online Konferenz
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    LPE Growth of Low Doped n-Type 4H-SiC Layer on On-Axis Substrate for Power Device Application : European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    Hattori, R. ; Kamei, K. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 615-617 (2009), S. 141-144
    Online Konferenz
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    LPE Growth of Bulk GaN Crystal by Alkali-Metal Flux Method : International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    Kawamura, F. ; Umeda, H. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 600-603 (2009), S. 1245-1250
    Online Konferenz
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    LPE of Silicon Carbide Using Diluted Si-Ge Flux : Silicon carbide and related materials: ECSCRM 2004
    Filip, O. ; Epelbaum, B. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 483-485 (2005), S. 133-136
    Online Konferenz
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    Reliability of 4H-SiC p-n Diodes on LPE Grown Layers : European conference on silicon carbide and related materials
    Sarov, G. ; Kakanakov, R. ; et al.
    In: MATRIALS SCIENCE FORUM, Jg. 433-436 (2003), S. 929-932
    Online Konferenz
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    4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method for High-Power Applications : European conference on silicon carbide and related materials
    Kuznetsov, N. ; Bauman, D. ; et al.
    In: MATRIALS SCIENCE FORUM, Jg. 433-436 (2003), S. 867-870
    Online Konferenz
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    Pd-Based Ohmic Contacts to LPE 4H-SiC with Improved Thermal Stability : European conference on silicon carbide and related materials
    Kassamakova-Kolaklieva, L. ; Kakanakov, R. ; et al.
    In: MATRIALS SCIENCE FORUM, Jg. 433-436 (2003), S. 713-716
    Online Konferenz
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    Is Al-Si a Good Melt for the Low-Temperature LPE of 4H-SiC? : European conference on silicon carbide and related materials
    Jacquier, C. ; Ferro, G. ; et al.
    In: MATRIALS SCIENCE FORUM, Jg. 433-436 (2003), S. 181-184
    Online Konferenz
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    Electrical Characteristics of 4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method : International conference on silicon carbide and related materials
    Kuznetsov, N. ; Bauman, D. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 389-393 (2002), Heft 2, S. 1313-1316
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    Reliable Ohmic Contacts to LPE p-Type 4H-SiC for High-Power p-n Diode : International conference on silicon carbide and related materials
    Kakanakov, R. ; Kassamakova, L. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 389-393 (2002), Heft 2, S. 917-920
    Online Konferenz
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    Traveling Self-Confined-Solvent Method: Novel LPE Growth of 6H-SiC : International conference on silicon carbide and related materials
    Asaoka, Y. ; Hiramoto, M. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 389-393 (2002), Heft 1, S. 295-298
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    Origin of the Excellent Thermal Stability of Al/Si-Based Ohmic Contacts to p-Type LPE 4H-SiC : European conference on silicon carbide and related materials
    Kassamakova, L. ; Kakanakov, R. ; et al.
    In: MATRIALS SCIENCE FORUM, Jg. 353-356 (2001), S. 251-254
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    Growth of CVD Thin Films and Thick LPE 3C SiC in a Specially Designed Reactor : International conference on silicon carbide and related materials
    Leycuras, A.
    In: MATERIALS SCIENCE FORUM, Jg. 338-342 (2000), Heft 1, S. 241-244
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    Study of annealing conditions on the formation of ohmic contacts on p+ 4H-SiC layers grown by CVD and LPE : Silicon carbide and related materials
    Vassilevski, K. V.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B, Jg. S 61-62 (1999), S. 296-300
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    Defect Evolution in 4H-SiC Sublimation Epi-Layers Grown on LPE Buffers With Reduced Micropipe Density : Silicon carbide - materials, processing and devices
    Yakimova, R. ; Syvajarvi, M. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 640 (2001), S. H2.1
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