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    X-\gamma Ray Spectroscopy With Semi-Insulating 4H-Silicon Carbide.
    Bertuccio, Giuseppe ; Puglisi, Donatella ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-04-15), Heft 2, S. 1436-1441
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Systematic Analysis of Reliability of Large-Area 4H-SiC Charged Particle Detector Under Harsh He Ion Irradiation.
    Gao, Run-Long ; Liu, Lin-Yue ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 1169-1174
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Performance-Improved Vertical Ni/SiO₂/4H-SiC Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors for High-Resolution Radiation Detection.
    Karadavut, Omerfaruk ; Chaudhuri, Sandeep K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 1965-1971
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Radiation Detection Properties of 4H-SiC Schottky Diodes Irradiated Up to 10<superscript>16</superscript> n/cm<superscript>2</superscript> by 1 MeV Neutrons.
    Nava, F. ; Castaldini, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-10-02), Heft 5, S. 2977-2982
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Minimum Ionizing and Alpha Particles Detectors Based on Epitaxial Semiconductor Silicon Carbide.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-02-02), Heft 1, S. 237-244
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Impact of Auger Recombination on Charge Collection of a 6H-SiC Diode by Heavy Ions.
    Onoda, S. ; Ohshima, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 2706-2713
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Decrease of Charge Collection Due to Displacement Damage by Gamma Rays in a 6H-SiC Diode.
    Onoda, Shinobu ; Ohshima, Takeshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 1953-1960
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Radiation Detection Properties of 4H-SiC Schottky Diodes Irradiated Up to 1016 n/cm2 by 1 MeV Neutrons.
    Nava, F. ; Castaldini, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-10-02), Heft 5, S. 2977-2982
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Minimum Ionizing and Alpha Particles Detectors Based on Epitaxial Semiconductor Silicon Carbide.
    Nava, F. ; Vanni, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-02-02), Heft 1, S. 238-244
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Systematic Analysis of Reliability of Large-Area 4H-SiC Charged Particle Detector Under Harsh He Ion Irradiation
    Li, Yang ; Liu, Linyue ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 1169-1174
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    X-<formula formulatype='inline'><tex Notation='TeX'>$\gamma$</tex> </formula> Ray Spectroscopy With Semi-Insulating 4H-Silicon Carbide
    Pullia, Alberto ; Bertuccio, Giuseppe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-04-01), S. 1436-1441
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Minimum Ionizing and Alpha Particles Detectors Based on Epitaxial Semiconductor Silicon Carbide
    Bruzzi, Mara ; Lanzieri, Claudio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-02-01), S. 238-244
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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