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    Optimizing the seeded CVD-growth of uniform graphene films on silicon.
    Yan, Zhichen ; Wang, Shuangyue ; et al.
    In: Journal of Materials Science, Jg. 58 (2023-06-22), Heft 23, S. 9434-9445
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Synthesis, Properties and Aging of ICP-CVD SiC x N y :H Films Formed from Tetramethyldisilazane.
    Chagin, Maksim N. ; Sulyaeva, Veronica S. ; et al.
    In: Coatings (2079-6412), Jg. 12 (2022), Heft 1, S. 80-80
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Metal-Free Catalytic Preparation of Graphene Films on a Silicon Surface Using CO as a Carbon Source in Chemical Vapor Deposition.
    Liu, Lintao ; Li, Wei ; et al.
    In: Coatings (2079-6412), Jg. 13 (2023-06-01), Heft 6, S. 1052-1061
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Solid-phase crystallization of high growth rate amorphous silicon films deposited by gas-jet electron beam plasma CVD method1.
    Baranov, E.A. ; Khmel, S. ; et al.
    In: Canadian Journal of Physics, Jg. 92 (2014-07-01), Heft 7/8, S. 723-727
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Preliminary design of a novel high throughput CVD reactor for photovoltaic applications.
    Masi, Maurizio ; Cavallotti, Carlo ; et al.
    In: Crystal Research & Technology, Jg. 49 (2014-08-01), Heft 8, S. 614-619
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Carrier properties of B atomic-layer-doped Si films grown by ECR Ar plasma-enhanced CVD without substrate heating.
    Sakuraba, Masao ; Sugawara, Katsutoshi ; et al.
    In: Science & Technology of Advanced Materials, Jg. 18 (2017), Heft 1, S. 294-306
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Nickel–silicon interfacial adhesion strength measured by laser spallation.
    Yan, Xiao ; Diamond, Jacob M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-04-28), Heft 16, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Microcrystalline silicon prepared with hot-wire CVD.
    Finger, F. ; Klein, S. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 14 (2003-10-01), S. 621-624
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Epitaxial growth of silicon by CVD in a hot-wall furnace.
    Bloem, J. ; Oei, Y. S. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 132 (1985-08-01), S. 1973-1980
    academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Preface — 10th international conference on hot-wire CVD (Cat-CVD) processes (HWCVD10).
    Ohdaira, Keisuke ; Schropp, Ruud E.I. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 693 (2020), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impurity doping during Si epitaxy by means of CO2 laser CVD.
    Meguro, T. ; Okabayashi, O. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 134 (1987-09-01), S. 2345-2347
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal annealing of plasma CVD silicon films.
    Aoyama, T. ; Adachi, E. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 134 (1987-08-01), S. 2049-2051
    academicJournal
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    Fine control of low-temperature CVD epitaxial growth.
    Loup, Virginie ; Hartmann, Jean-Michel ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 44 (2001-07-01), Heft 7, S. 91-102
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    P-type sp3-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method.
    Komatsu, Shojiro ; Sato, Yuhei ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 42 (2009-11-21), Heft 22, S. 225107-1- (6S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Macromolecular Contamination on Haze Generation in Amorphous-Silicon Film by CVD: Controlled with Ozonized Water Treatment.
    Nagai, Masaru
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 154 (2007), Heft 1, S. H48- (5S.)
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High-temperature CVD for crystalline-silicon thin-film solar cells.
    Faller, Frank R. ; Hurrle, Albert
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 46 (1999-10-01), Heft 10, S. 2048-2054
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Silicon CVD for SOI: principles and possible applications.
    Jastrzebski, L.
    In: Solid State Technology, Jg. 27 (1984-09-01), S. 239-243
    serialPeriodical
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    Modelling wafer bow in silicon-polycrystalline CVD diamond substrates for GaN-based devices.
    Edwards, M. J. ; Bowen, C. R. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 43 (2010-09-29), Heft 38, S. 385502-1- (9S.)
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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    Thin film transistors on nanocrystalline silicon directly deposited by a microwave plasma CVD.
    Teng, L. H. ; Anderson, W. A.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-02-01), Heft 2, S. 309-314
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Characterization of photoluminescence of a-Si:H nanoball films fabricated by microwave plasma CVD.
    Kato, I. ; Kezuka, H. ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 65 (2002-05-27), Heft 3/4, S. 439-442
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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