Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
6 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Sprache

6 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    First Demonstration of Vertically Stacked Gate-All-Around Highly Strained Germanium Nanowire pFETs.
    Capogreco, E. ; Witters, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-11-01), Heft 11, S. 5145-5150
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Strained Germanium Gate-All-Around pMOS Device Demonstration Using Selective Wire Release Etch Prior to Replacement Metal Gate Deposition.
    Witters, L. ; Arimura, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4587-4593
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    High-Performance Si0.45Ge0.55 Implant-Free Quantum Well pFET With Enhanced Mobility by Low-Temperature Process and Transverse Strain Relaxation.
    Yamaguchi, Shimpei ; Witters, Liesbeth Johanna ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 12, S. 3985-3990
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Fabrication and Analysis of a Si/Si0.55Ge0.45 Heterojunction Line Tunnel FET.
    Walke, Amey M. ; Vandooren, Anne ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 3, S. 707-715
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Boron Delta-Doping Dependence on Si/SiGe Resonant Interband Tunneling Diodes Grown by Chemical Vapor Deposition.
    Ramesh, Anisha ; Growden, Tyler A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-03-01), Heft 3, S. 602-609
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Layout Scaling of \Si1-x\Gex \-Channel pFETs.
    Eneman, Geert ; Yamaguchi, Shinpei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-08-01), Heft 8, S. 2544-2550
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -