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    PbS quantum dot thin film dry etching.
    Le Brun, Nicolas ; Cunge, Gilles ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 42 (2024-05-01), Heft 3, S. 1-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Role played by the nanowire/nanowire junctions in the electrical properties of semiconductor percolating silicon nanowire networks.
    Legallais, Maxime ; Thi Thu Thuy Nguyen ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-11-28), Heft 20, S. 1-14
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Highly organised and dense vertical silicon nanowire arrays grown in porous alumina template on <100> silicon wafers.
    Gorisse, Therese ; Dupré, Ludovic ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, 2013-06-01, Heft 6, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Ultradense and planarized antireflective vertical silicon nanowire array using a bottom-up technique.
    Dupré, Ludovic ; Gorisse, Thérèse ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, 2013-03-01, Heft 3, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    An innovative large scale integration of silicon nanowire-based field effect transistors.
    Legallais, M. ; Nguyen, T.T.T. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 143 (2018-05-01), S. 97-102
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electrical characteristics of silicon percolating nanonet-based field effect transistors in the presence of dispersion.
    Cazimajou, T. ; Legallais, M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 143 (2018-05-01), S. 83-89
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Wet-chemically etched silicon nanowire: Effect of etching parameters on the morphology and optical characterizations.
    Salhi, B. ; Hossain, M.K. ; et al.
    In: Solar Energy, Jg. 161 (2018-02-01), S. 180-186
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Ultra high density three dimensional capacitors based on Si nanowires array grown on a metal layer.
    Morel, P. H. ; Haberfehlner, G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-08-20), Heft 8, S. 83110-83113
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Analysis of the role of inter-nanowire junctions on current percolation effects in silicon nanonet field-effect transistors.
    Cazimajou, T. ; Mouis, M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 168 (2020-06-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Corrigendum to “Wet-chemically etched silicon nanowire: Effect of etching parameters on the morphology and optical characterizations” [Sol. Energy 161 (2018) 180–186].
    Salhi, B. ; Hossain, M.K. ; et al.
    In: Solar Energy, Jg. 169 (2018-07-15), S. 692-692
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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