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    Growing Cu2ZnSnS4 Thin Film at Low Temperature Using a New Improved Configuration of Close‐Distance CVD Technique.
    Belaqziz, Mohamed ; Medjnoun, Kahina ; et al.
    In: Crystal Research & Technology, Jg. 58 (2023-06-01), Heft 6, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Simplified CVD route to near-zero thickness silicon nitride films.
    Arkles, Barry ; Brick, Chad ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics, Jg. 40 (2022-07-01), Heft 4, S. 1-5
    academicJournal
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    Spectrometric analysis of silicon nitride films deposited by low-temperature liquid-source CVD.
    Kou, R. ; Yamamoto, N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-10-07), Heft 13, S. N.PAG- (7S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Deposition and Characterisation of a Diamond/Ti/Diamond Multilayer Structure.
    Mallik, Awadesh Kumar ; Lloret, Fernando ; et al.
    In: Coatings (2079-6412), Jg. 13 (2023-11-01), Heft 11, S. 1914-1927
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Synthesis, Properties and Aging of ICP-CVD SiC x N y :H Films Formed from Tetramethyldisilazane.
    Chagin, Maksim N. ; Sulyaeva, Veronica S. ; et al.
    In: Coatings (2079-6412), Jg. 12 (2022), Heft 1, S. 80-80
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Metal-Free Catalytic Preparation of Graphene Films on a Silicon Surface Using CO as a Carbon Source in Chemical Vapor Deposition.
    Liu, Lintao ; Li, Wei ; et al.
    In: Coatings (2079-6412), Jg. 13 (2023-06-01), Heft 6, S. 1052-1061
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
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    Nonempirical simulation of chemical deposition of silicon nitride films in CVD reactors.
    Makhviladze, T. ; Minushev, A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-05-01), Heft 3, S. 196-205
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Low pressure CVD of silicon nitride.
    Roenigk, Karl F. ; Jensen, Klavs F.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 134 (1987-07-01), S. 1777-1785
    academicJournal
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    A multiresponse factorial study of reactor parameters in plasma-enhanced CVD growth of amorphous silicon nitride.
    Bohn, P. W. ; Manz, R. C.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 132 (1985-08-01), S. 1981-1984
    academicJournal
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    XPS investigation of MnO2 deposits functionalized with graphitic carbon nitride.
    Benedet, Mattia ; Gasparotto, Alberto ; et al.
    In: Surface Science Spectra, Jg. 30 (2023-12-01), Heft 2, S. 1-16
    academicJournal
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    Study of thermally grown and photo-CVD deposited silicon oxide-silicon nitride stack layers.
    Sahu, B. S. ; Kapoor, A. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 18 (2003-07-01), Heft 7, S. 670-675
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Electrical properties of siN/GaN mIS diodes formed by eCR-cVD.
    Chang, Kow-Ming ; Cheng, Chao-Chen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 46 (2002-09-01), Heft 9, S. 1399-1403
    academicJournal
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    Impact damage behaviour of CVD-coated silicon nitride for gas turbines.
    Akimune, Yoshio ; Akiba, Toru ; et al.
    In: Journal of Materials Science, Jg. 29 (1994-06-15), S. 3243-3247
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Silicon nitride film growth by remote plasma CVD using Tris(dimethylamino)silane.
    Aoki, Toru ; Ogishima, Takuya ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 51 (1998-12-01), Heft 4, S. 747-750
    academicJournal
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    Analysis and modeling of low pressure CVD of silicon nitride from a silane-ammonia mixture. I. Experimental study and determination of a gaseous phase mechanism.
    Yacoubi, Khalid ; Azzaro-Pantel, Catherine ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999-08-01), Heft 8, S. 3009-3017
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Analysis and modeling of low pressure CVD of silicon nitride from a silane-ammonia mixture. II. Deposition modeling.
    Yacoubi, Khalid ; Azzaro-Pantel, Catherine ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999-08-01), Heft 8, S. 3018-3027
    academicJournal
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    Dislocations in as-grown CVD α-silicon nitride.
    Zhou, Dashun S. ; Mitchell, Terence E.
    In: Journal of the American Ceramic Society, Jg. 78 (1995-11-01), S. 3133-3136
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Conformal step coverage of electron beam-assisted CVD of SiO2 and Si3N4 films.
    Thompson, L. R. ; Gobis, L. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 131 (1984-02-01), S. 462-463
    academicJournal
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    Correlation Between Composition and Stress for High Density Plasma CVD Silicon Nitride Films.
    Sah, R. E. ; Baumann, H. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 157 (2010-02-01), Heft 2, S. G33- (6S.)
    academicJournal
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    Device degradation during low temperature ECR-CVD. Part I: GaAs MESFETs.
    Lee, J. W. ; Mackenzie, K. D. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 42 (1998-06-01), Heft 6, S. 1015-1020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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