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    SiNW-CMOS Hybrid Common-Source Amplifier as a Voltage-Readout Hydrogen Ion Sensor
    Kim, Dal-Hyun ; Chung, In-Young ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013), S. 135-137
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    Stacked 3-D Fin-CMOS technology
    Philip C.H. Chan ; Feng, Chuguang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-06-01), S. 416-418
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    The spacer/replacer concept: a viable route for sub-100 nm ultrathin-film fully-depleted SOI CMOS
    K. De Meyer ; H. van Meer
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002), S. 46-48
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    Minimizing floating-body-induced threshold voltage variation in partially depleted SOI CMOS
    Wei, A. ; Bair, L.A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-08-01), S. 391-394
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    Manufacturable Parasitic-Aware Circuit-Level FETs in 65-nm SOI CMOS Technology
    Lee, Sungjae ; Cho, Choongyeun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-06-01), S. 520-522
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    Investigation of NiSi and TiSi as CMOS gate materials
    Bokor, Jeffrey ; Xuan, Peiqi
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-10-01), S. 634-636
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    High performance fully-depleted tri-gate CMOS transistors
    Jack Portland Kavalieros ; Doyle, Brian S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-04-01), S. 263-265
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    Heating effects of clock drivers in bulk, SOI, and 3-D CMOS
    Tiwari, S. ; Zhang, Jifeng ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002-12-01), S. 716-718
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    A simple method to determine the floating-body voltage of SOI CMOS devices
    Imam, Mohamed A. ; Osman, Ashraf A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 21 (2000), S. 21-23
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    High-frequency performances of a partially depleted 0.18-μm SOI/CMOS technology at low supply voltage-influence of parasitic elements
    Marcandella, C. ; Pelloire, J.L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 19 (1998-07-01), S. 265-267
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    Silicon-on-insulator approach for power IC's integrating vertical DMOS and polycrystalline silicon CMOS thin-film transistors
    Nostrand, G.E. ; Dolny, G.M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 13 (1992-10-01), S. 516-518
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    Merged CMOS/bipolar technologies utilizing zone-melting-recrystallized SOI films
    Tsaur, B-Y. ; Chen, Chenson ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 5 (1984-11-01), S. 461-463
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    Interface characterization of silicon epitaxial lateral growth over existing SiO/sub 2/ for three-dimensional CMOS structures
    Friedrich, J.A. ; Neudeck, Gerold W.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 10 (1989-04-01), S. 144-146
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    One-gate-wide CMOS Inverter on laser-recrystallized polysilicon
    Gibbons, J. F. ; Lee, K.F.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 1 (1980-06-01), S. 117-118
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    Experimental Demonstration of the High-Performance Floating-Body/Gate DRAM Cell for Embedded Memories
    Chen, Jing ; Chai, Zhan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-06-01), S. 743-745
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    Floating-Body Diode—A Novel DRAM Device
    Avci, Uygar E. ; Kencke, David L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-02-01), S. 161-163
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    A Simplified Superior Floating-Body/Gate DRAM Cell
    Trivedi, Vishal P. ; Harris, H. R. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-03-01), S. 282-284
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A seeded-channel silicon-on-insulator (SOI) MOS technology
    Lin, H. Y. ; Hwa, T.L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 6 (1985-12-01), S. 668-670
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    RF power LDMOSFET on SOI
    Antoniadis, Dimitri A. ; J.A. del Alamo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 22 (2001-03-01), S. 139-141
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    A high-performance lateral bipolar transistor fabricated on SIMOX
    Parke, Stephen A. ; Ko, P.K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 14 (1993), S. 33-35
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