Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
81 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Schlagwort

Sprache

81 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Wideband Bandpass Filter for 5G Millimeter- Wave Application in 45-nm CMOS Silicon-on-Insulator
    Rebeiz, Gabriel M. ; Gao, Li
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-08-01), S. 1244-1247
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    On-Chip High-Voltage Charge Pump With MEMS Post-Processed Standard 5-V CMOS on SOI for Electroosmotic Flow Micropumps
    Ohba, Takayuki ; Ichiki, Takanori ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-06-01), S. 851-854
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Post-CMOS FinFET Integration of Bismuth Telluride and Antimony Telluride Thin-Film-Based Thermoelectric Devices on SoI Substrate
    Smith, Casey ; Ghafouri, N. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-10-01), S. 1334-1336
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A dual-strained CMOS structure through simultaneous formation of relaxed and compressive strained-SiGe-on-insulator
    Tung, C.H. ; Kumar, Rakesh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-05-01), S. 350-353
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    SiNW-CMOS Hybrid Common-Source Amplifier as a Voltage-Readout Hydrogen Ion Sensor
    Kim, Dal-Hyun ; Chung, In-Young ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013), S. 135-137
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    High-performance fully depleted silicon nanowire (diameter /spl les/ 5 nm) gate-all-around CMOS devices
    Kwong, Dim-Lee ; Kumar, Rakesh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-05-01), S. 383-386
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    SOI MESFETs Fabricated Using Fully Depleted CMOS Technologies
    Ervin, J. ; Lepkowski, William ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-06-01), S. 678-680
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    The spacer/replacer concept: a viable route for sub-100 nm ultrathin-film fully-depleted SOI CMOS
    K. De Meyer ; H. van Meer
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002), S. 46-48
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Minimizing floating-body-induced threshold voltage variation in partially depleted SOI CMOS
    Wei, A. ; Bair, L.A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-08-01), S. 391-394
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A stacked CMOS technology on SOI substrate
    Han, Ruqi ; Lin, Xinnan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-09-01), S. 661-663
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Complimentary Single-Electron/Hole Action of Nanoscale SOI CMOS Transistors
    Krivokapic, Z. ; Wang, Kang L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-07-01), S. 492-494
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation of NiSi and TiSi as CMOS gate materials
    Bokor, Jeffrey ; Xuan, Peiqi
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-10-01), S. 634-636
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High performance fully-depleted tri-gate CMOS transistors
    Jack Portland Kavalieros ; Doyle, Brian S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-04-01), S. 263-265
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Novel Approach to Reduce Source/Drain Series and Contact Resistance in High-Performance UTSOI CMOS Devices Using Selective Electrodeless CoWP or CoB Process
    Lin, Ming-Ren ; Topol, A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-08-01), S. 691-693
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Comparison of Floating-Body Potential in H-Gate Ultrathin Gate Oxide Partially Depleted SOI pMOS and nMOS Devices Based on 90-nm SOI CMOS Process
    Chen, Shiao-Shien ; Huang-Lu, Shiang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-04-01), S. 214-216
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A low voltage hybrid bulk/SOI CMOS active pixel image sensor
    Chan, Mansun ; Zhang, Weiquan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 22 (2001-05-01), S. 248-250
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Multiple layers of CMOS integrated circuits using recrystallized silicon film
    Chan, Mansun ; Chan, Victor ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 22 (2001-02-01), S. 77-79
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Scalable PD/SOI CMOS with floating bodies
    Pelella, M.M. ; Fossum, Jerry G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 19 (1998-11-01), S. 414-416
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Hydrogen annealing effect on DC and low-frequency noise characteristics in CMOS FinFETs
    King, Tsu-Jae ; Bokor, Jeffrey ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-03-01), S. 186-188
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    High-performance fully-depleted SOI RF CMOS
    Cook, J.A. ; Knecht, J.M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002), S. 52-54
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -