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    Modeling the Performance of Nano Machined CMOS Transistors for Uncooled IR Sensing
    Blank, Tania ; Nemirovsky, Yael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), S. 4657-4663
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    Ultracompact ESD Protection With BIMOS-Merged Dual Back-to-Back SCR in Hybrid Bulk 28-nm FD-SOI Advanced CMOS Technology
    Marin-Cudraz, D. ; Legrand, Charles-Alexandre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), S. 3991-3997
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    SPICE-Based Performance Analysis of Trigate Silicon Nanowire CMOS Circuits
    Saitoh, Masumi ; Numata, Toshinori ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), S. 1451-1456
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    Multi-$V_{T}$ UTBB FDSOI Device Architectures for Low-Power CMOS Circuit
    Amara, Amara ; Vinet, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-08-01), S. 2473-2482
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    Considerations for Ultimate CMOS Scaling
    Kuhn, K.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-07-01), S. 1813-1828
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    Insights on Design and Scalability of Thin-BOX FD/SOI CMOS
    Fossum, Jerry G. ; Chouksey, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-09-01), S. 2073-2079
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    Design and Characterization of CMOS/SOI Image Sensors
    Nemirovsky, Yael ; Alameh, Kamal ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-03-01), S. 468-475
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    CMOS-SOI-MEMS Transistor for Uncooled IR Imaging
    Gutman, Z. ; Bar-Lev, Sharon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-09-01), S. 1935-1942
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    Investigation of a Sequential Three-Dimensional Process for Back-Illuminated CMOS Image Sensors With Miniaturized Pixels
    Giffard, B. ; Coudrain, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-11-01), S. 2403-2413
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    A Three-Dimensional Stacked Fin-CMOS Technology for High-Density ULSI Circuits
    Feng, Chuguang ; Chan, Mansun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-09-01), S. 1998-2003
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Backside-Illuminated Lateral PIN Photodiode for CMOS Image Sensor on SOS Substrate
    Wu, Wen ; Shen, Chao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-06-01), S. 1110-1115
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    On the performance advantage of PD/SOI CMOS with floating bodies
    Pelella, M.M. ; Fossum, J.G.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002), S. 96-104
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    Three-dimensional CMOS SOI integrated circuit using high-temperature metal-induced lateral crystallization
    Chan, Mansun ; Chan, Victor ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-07-01), S. 1394-1399
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    OFF-State leakage current mechanisms in bulkSi and SOI MOSFETs and their impact on CMOS ULSIs standby current
    Adan, A.O. ; Higashi, K.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001), S. 2050-2057
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    Bulk-layout-compatible 0.18-μm SOI-CMOS technology using body-tied partial-trench-isolation (PTI)
    Ipposhi, T. ; Nishimura, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001), S. 2816-2822
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    Fully depleted CMOS/SOI device design guidelines for low-power applications
    Banna, S.R. ; Fung, S.K.H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 46 (1999-04-01), S. 754-761
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    Determination and assessment of the floating-body voltage of SOI CMOS devices
    Imam, Mohamed A. ; Osman, Ashraf A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-04-01), S. 688-695
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    Advanced technologies for optimized sub-quarter-micrometer SOI CMOS devices
    Woo, Jason C. S. ; Liu, Ping ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998-05-01), S. 1092-1098
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    A physical charge-based model for non-fully depleted SOI MOSFET's and its use in assessing floating-body effects in SOI CMOS circuits
    Suh, Dongwook ; Fossum, Jerry G.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 42 (1995-04-01), S. 728-737
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    Computer-aided performance assessment of fully depleted SOI CMOS VLSI circuits
    Fossum, Jerry G. ; Yeh, P.-C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 40 (1993-03-01), S. 598-604
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