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    Strained SOI/SGOI dual-channel CMOS technology based on the Ge condensation technique
    Moriyama, Y. ; Mizuno, Tomohisa ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2006-11-30), S. S93- (6S.)
    Online unknown
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    Monolithic CMOS-compatible AlGaInP visible LED arrays on silicon on lattice-engineered substrates (SOLES)
    Mori, Michael J. ; Fitzgerald, Eugene A. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2006-11-24), S. 29-34
    Online unknown
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    Impact of heavy ion irradiation on CMOS current mirrors based on SOI and bulk Si substrates: mismatch and output impedance
    Wu, Weikang ; Shen, Dongjun ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 30 (2015-09-28), S. 115002-115002
    Online unknown
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    Engineering spacers in dopant-segregated Schottky barrier SOI MOSFET for nanoscale CMOS logic circuits
    Patil, Ganesh C. ; Qureshi, S.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 27 (2012-02-22), S. 045004-45004
    Online unknown
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    Total ionizing dose effects in multiple-gate field-effect transistor
    Marcandella, Claude ; Richard, Nicolas ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 32 (2017-07-04), S. 083003-83003
    Online unknown
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    Multi sub-band Monte Carlo simulation of an ultra-thin double gate MOSFET with 2D electron gas
    Chassat, C. ; Saint-Martin, Jérôme ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 21 (2006-02-21), S. L29- (3S.)
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    Asymmetric drain underlap dopant-segregated Schottky barrier ultrathin-body SOI MOSFET for low-power mixed-signal circuits
    Patil, Ganesh C. ; Qureshi, S.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 28 (2013-02-22), S. 045002-45002
    Online unknown
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    A novel pLEDMOS device with large current capability and high reliability for PDP scan driver IC
    Chuchu, Ye ; Qian, Qinsong ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 27 (2012-09-13), S. 105032-105032
    Online unknown
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    Single halo SDODEL n-MOSFET: an alternative low-cost pseudo-SOI with better analog performance
    Chandan Kumar Sarkar ; Mallik, Abhijit ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 24 (2009-02-02), S. 035001-35001
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    RF and noise model of gate-all-around MOSFETs
    Antonio Manuel Lazaro ; Iniguez, Benjamin
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 23 (2008-05-22), S. 075022-75022
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    Reliable characteristics and stabilization of on-membrane SOI MOSFET-based components heated up to 335 °C
    André, Nicolas ; Udrea, Florin ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 32 (2016-12-19), S. 014001-14001
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Strain relaxation in strained-Si layers on SiGe-on-insulator substrates
    Toyoda, Eiji ; Takagi, Shinichi ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2006-11-28), S. S21- (5S.)
    Online unknown
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    Scaling capability and design guidelines of a nano-scale quasi-SOI device for low operation power and high-performance applications
    Wang, Yangyuan ; Huang, Ru ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 21 (2006-02-24), S. 473-478
    Online unknown
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    Improved generation lifetime model for the electrical characterization of single- and double-gate SOI nMOSFETs
    Claeys, Cor ; Joao Antonio Martino ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 23 (2008-10-21), S. 125011-125011
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