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    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology
    Han, Zhengsheng ; Zhang, Junjun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), S. 1660-1667
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    Circuit Modeling of Single-Event Transient Pulse Stretching in Digital CMOS
    Massengill, Lloyd W. ; Tuinenga, P.W.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), S. 3165-3171
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    Probing proton damage in SOI CMOS technology by using lateral bipolar action
    Niu, Guofu ; Patel, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-12-01), S. 1885-1890
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    Trade-Offs Between RF Performance and Total-Dose Tolerance in 45-nm RF-CMOS
    Sutton, Akil K. ; Seth, Sachin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), S. 2830-2837
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    Flicker noise behavior of MOSFETs fabricated in 0.5 /spl mu/m fully depleted (FD) silicon-on-sapphire (SOS) CMOS in weak, moderate, and strong inversion
    Williamson, B.D. ; Milton Nance Ericson ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-08-01), S. 963-968
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    Total dose performance at 77 K of a radiation hard 0.35 /spl mu/m CMOS SOI technology
    Jenkins, W.C. ; Liu, S.T.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 47 (2000-12-01), S. 2204-2207
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    Total gamma dose characteristics of CMOS devices in SOI structures based on oxidized porous silicon
    Dorofeev, A.M. ; Bogatirev, Y.V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 44 (1997-10-01), S. 1719-1723
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    Theoretical study of SEUs in 0.25-/spl mu/m fully-depleted CMOS/SOI technology
    Hesto, P. ; Leray, Jean-Luc ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 41 (1994-12-01), S. 2297-2303
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    Evaluating the Influence of Various Body-Contacting Schemes on Single Event Transients in 45-nm SOI CMOS
    Vizkelethy, G. ; Sutton, Akil K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, 2010-12-01
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    Noise characterization of transistors in a 1.2 /spl mu/m CMOS-SOI technology up to a total-dose of 12 Mrad (Si)
    Jarron, Pierre ; Erik H.M. Heijne ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 41 (1994-12-01), S. 2310-2316
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    Radiation Effects in Advanced Multiple Gate and Silicon-on-Insulator Transistors
    Paillet, P. ; Claeys, Cor ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-06-01), S. 1970-1991
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    Comparison of the sensitivity to heavy ions of 0.25-/spl mu/m bulk and SOI technologies
    Roche, P. ; Flatresse, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 49 (2002-06-01), S. 1450-1455
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    Gated-diode characterization of the back-channel interface on irradiated SOI wafers
    Liu, S.T. ; Ioannou, D.E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 48 (2001-12-01), S. 2140-2145
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    Worst case total dose radiation response of 0.35 /spl mu/m SOI CMOSFETs
    Liu, S.T. ; Balster, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 46 (1999-12-01), S. 1817-1823
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    Gamma-Ray Irradiation Effects on VLSI Geometry MOSFETs Fabricated on Laser Recrystallized SOI Wafers
    Bluzer, N. ; Kim, J. S.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 29 (1982-12-01), S. 1690-1695
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    Angular and Strain Dependence of Heavy-Ions Induced Degradation in SOI FinFETs
    Gerardin, Simone ; Claeys, Cor ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), S. 1924-1932
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