Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
18 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Sprache

18 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    150-GHz RF SOI-CMOS Technology in Ultrathin Regime on Organic Substrate
    DES ETANGS-LEVALLOIS, Aurélien Lecavelier ; DUBOIS, Emmanuel ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1510-1512
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Stacked 3-D Fin-CMOS technology
    XUSHENG, WU ; CHAN, Philip C. H ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 6, S. 416-418
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    A stacked CMOS technology on SOI substrate
    SHENGDONG, ZHANG ; RUQI, HAN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 25 (2004), Heft 9, S. 661-663
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    High-Voltage Generation With Stacked Photodiodes in Standard CMOS Process
    LAW, M. K ; BERMAK, A
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 12, S. 1425-1427
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A 150-V multiple up-brain VDMOS, CMOS, and bipolar process in direct-bonded silicon on insulator on silicon
    IFSTRÖM, T ; APEL, U ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 13 (1992), Heft 9, S. 460-461
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Interface characterization of silicon epitaxial lateral growth over existing SiO2 for three-dimensional CMOS structures
    FRIEDRICH, J. A ; NEUDECK, G. W
    In: IEEE electron device letters, Jg. 10 (1989), Heft 4, S. 144-146
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    High-speed, low-power, implanted-buried-oxide CMOS circuits
    COLINGE, J.-P ; HASHIMOTO, K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 7 (1986), Heft 5, S. 279-281
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Submicrometer CMOS devices in zone-melting-recrystallized SOI films
    BOR-YEU, TSAUR ; CHEN, C. K
    In: IEEE electron device letters, Jg. 7 (1986), Heft 7, S. 443-445
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Characteristics of a 1.2μm CMOS technology fabricated on an RF-heated zone-melting recrystallized SOI
    KOBAYASHI, Y ; FUKAMI, A ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 7 (1986), Heft 6, S. 350-352
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Nanoscale Vertical Double-Gate Single-Transistor Capacitorless DRAM
    GÜNHAN ERTOSUN, M ; CHO, Hoon ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 6, S. 615-617
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A novel dual-polarity nonvolatile memory
    HAO, LIN ; TIWARI, Sandip
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 5, S. 412-415
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Experimental Demonstration of Capacitorless A2RAM Cells on Silicon-on-Insulator
    RODRIGUEZ, Noel ; NAVARRO, Carlos ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 12, S. 1717-1719
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Floating-Body Diode: A Novel DRAM Device
    AVCI, Uygar E ; KENCKE, David L ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 2, S. 161-163
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Experimental Demonstration of the High-Performance Floating-Body/Gate DRAM Cell for Embedded Memories
    QINGQING, WU ; JING, CHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 6, S. 743-745
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A-RAM Memory Cell: Concept and Operation
    RODRIGUEZ, Noel ; GAMIZ, Francisco ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 9, S. 972-974
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Simplified Superior Floating-Body/Gate DRAM Cell
    ZHICHAO, LU ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 3, S. 282-284
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Three-dimensional photodetectors in 3-D silicon-on-insulator Technology
    CULURCIELLO, Eugenio ; WEERAKOON, Pujitha
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 2, S. 117-119
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Single-event charge enhancement in SOI devices
    MASSENGILL, L. W ; KERNS, D. V ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 11 (1990), Heft 2, S. 98-99
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -