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    Model of leakage current induced by dynamic stress in thin EEPROM tunnel oxides
    SORBIER, J. P ; CROCI, S ; et al.
    In: Proceedings of the 4th Franco-Italian Symposium on SiO2 and Advanced Dielectrics, Trento, Italy, 16-18 September, 2002, Jg. 322 (2003), Heft 1-3, S. 122-128
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Theoretical and experimental study of the conduction mechanism in Al/Ta2O5/SiO2/Si and Al/Ta2O5/Si3N4/Si structures
    CHANELIERE, C ; AUTRAN, J. L ; et al.
    In: Proceedings of the 2nd Franco-Italian Symposium on SiO2 and Advanced Dielectrics, Jg. 245 (1999), S. 73-78
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Properties of SiO2 films deposited on silicon at low temperatures by plasma enhanced decomposition of hexamethyldisilazane
    PECHEUR, A ; AUTRAN, J. L ; et al.
    In: Proceedings of the 2nd Franco-Italian Symposium on SiO2 and Advanced Dielectrics, Jg. 245 (1999), S. 20-26
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Dynamic stressing of thin tunnel oxides : a way to emulate a single EEPROM cell programming function
    PLOSSU, C ; VOISIN, J. M ; et al.
    In: Proceedings of the 2nd Franco-Italian Symposium on SiO2 and Advanced Dielectrics, Jg. 245 (1999), S. 85-91
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Kinetic study of silicon alkoxides gelation by acoustic and rheology investigations
    GRIESMAR, P ; PONTON, A ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 319 (2003), Heft 1-2, S. 57-64
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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