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    Modeling of CVD of silicon dioxide using TEOS and ozone in a single-wafer reactor
    EUI JUNG, KIM ; GILL, W. N
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994), Heft 12, S. 3462-3472
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Mechanism of amorphous silica film formation from tetraethoxysilane in atomic oxygen-induced chemical vapor deposition
    WROBEL, A. M ; WALKIEWICZ-PIETRZYKOWSKA, A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 145 (1998), Heft 8, S. 2866-2876
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The effect of gas-phase additives C2H4, C2H6, and C2H2 on SiH4/O2 chemical vapor deposition
    TAKAHASHI, T ; HAGIWARA, K ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 143 (1996), Heft 4, S. 1355-1361
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Remote plasma-enhanced chemical vapor deposition of SiO2 using Ar/N2O and SiH4
    COURTNEY, C. H ; SMITH, B. C ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 145 (1998), Heft 11, S. 3957-3962
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermodynamic study, composition, and microstructure of low-pressure chemical vapor deposited silicon dioxide fil grown from TEOS/N2O mixtures
    DAVAZOGLOU, D ; VAMVAKAS, V. E ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 145 (1998), Heft 4, S. 1310-1317
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effects of substrate on the growth characteristics of silicon oxide films deposited by atmospheric pressure chemical vapor deposition using Si(OC2H5)4 and O3
    YOSHIMARU, M ; YOSHIE, T
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 145 (1998), Heft 8, S. 2847-2853
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Silanol concentration depth profiling during plasma deposition of SiO2 using multiple internal reflection infrared spectroscopy
    HAN, S. M ; AYDIL, E. S
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 144 (1997), Heft 11, S. 3963-3967
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of ultraviolet irradiation on silicon oxide films prepared by radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition
    HOZUMI, A ; SEKOGUCHI, H ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 144 (1997), Heft 8, S. 2824-2828
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Chemical etch rate of plasma-enhanced chemical vapor deposited SiO2 films : Effect of deposition parameters
    BESSER, R. S ; LOURIS, P. J ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 144 (1997), Heft 8, S. 2859-2864
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Particle size distribution in a low pressure SiH4:O2:He chemical vapor deposition reactor : Experimental and numerical results
    WHITBY, E ; HOSHINO, M
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 143 (1996), Heft 10, S. 3397-3404
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Room temperature deposition of silicon dioxide films by ion-assisted plasma enhanced chemical vapor deposition
    LEE, J. H ; KIM, D. S ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 143 (1996), Heft 4, S. 1443-1451
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Formation of high-quality nitrided silicon dioxide films using electron-cyclotron resonance chemical vapor deposition with nitrous oxide and silane
    LANDHEER, D ; TAO, Y ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 143 (1996), Heft 5, S. 1681-1684
    academicJournal
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    Characteristics of silicon dioxide films on patterned substrates prepared by atmospheric-pressure chemical vapor deposition using tetraethoxysilane and ozone
    IKEDA, K ; NAKAYAMA, S ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 143 (1996), Heft 5, S. 1715-1718
    academicJournal
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    Mechanisms of silicon dioxide deposition from the low pressure chemical vapor deposition of diethylsilane/oxygen mixtures
    MARTIN, J. G ; O'NEAL, H. E ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 11, S. 3873-3880
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon dioxide deposited at low temperatures
    CEILER, M. F ; KOHL, P. A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 6, S. 2067-2071
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Plasma chemical vapor deposition of SiO2 on air-exposed surfaces by cold plasma torch
    HYUN-KWON, HA ; INOMATA, K ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 8, S. 2726-2730
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Mechanisms of deposition of SiO2 from TEOS and related organosilicon compounds and ozone
    DOBKIN, D. M ; MOKHTARI, S ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 7, S. 2332-2340
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide films by thermal decomposition of tetra-alkoxysilanes
    EUI JUNG, KIM ; GILL, W. N
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 2, S. 676-682
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effect of oxygen contamination on the deposition and etching properties of Si-H-Cl-O and Si-H-F-O systems
    CHAN-HWA, CHUNG ; SHI-WOO, RHEE ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 7, S. 2405-2410
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A model of effects of surface pretreatment by organic solvents on ozone-tetraethoxysilane chemical vapor deposition
    NAKANO, T ; SATO, N ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 2, S. 641-644
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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