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    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology.
    Wang, Yuchong ; Liu, Fanyu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 1660-1667
    Online academicJournal
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    An Investigation of the SET Response of Devices and Differential Pairs in a 32-nm SOI CMOS Technology.
    Fleetwood, Zachary E. ; Lourenco, Nelson E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2643-2649
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    An Investigation of Single Event Transient Response in 45-nm and 32-nm SOI RF-CMOS Devices and Circuits.
    England, Troy D. ; Arora, Rajan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4405-4411
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Effect of Device Variants in 32 nm and 45 nm SOI on SET Pulse Distributions.
    Maharrey, J. A. ; Quinn, R. C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4399-4404
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    An Area Efficient Stacked Latch Design Tolerant to SEU in 28 nm FDSOI Technology.
    Wang, H. B. ; Chen, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 6, S. 3003-3009
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Geometry-Aware Single-Event Enabled Compact Models for Sub-50 nm Partially Depleted Silicon-on-Insulator Technologies.
    Kauppila, Jeffrey S. ; Massengill, Lloyd W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-01), Heft 4a, S. 1589-1598
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Radiation Effects in Advanced Multiple Gate and Silicon-on-Insulator Transistors.
    Simoen, Eddy ; Gaillardin, Marc ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-06-10), Heft 3, S. 1970-1991
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Temperature Dependence of Digital SET Pulse Width in Bulk and SOI Technologies.
    Shuming, Chen ; Bin, Liang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 2914-2920
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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