Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
8 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Sprache

8 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Charge Collection by CMOS Transistors from Tracks of Single Particles Passing through Layer of Shallow Trench Isolation
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), Heft 3, S. 181-191
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Rumyantsev, S. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), Heft 1, S. 30-36
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    CMOS Majority Element Based on NAND Logic with Reduced Sensitivity to Single Ionizing Particles
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-11-01), Heft 6, S. 394-403
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    CVC Simulation of Ultrathin Soi-Cmos Nanotransistors with a Fully Enclosed Gate
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-11-01), Heft 6, S. 387-393
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Self-Heating Effect in Submicronic SOI-CMOS Transistors
    Rumyantsev, S. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), Heft 4, S. 278-285
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Modeling of Single Ionizing Particle Impacts on Logical Elements of a CMOS Triple Majority Gate
    Katunin, Yu. V. ; Stenin, V. Ya.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-05-01), Heft 3, S. 214-223
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Basic memory elements using DICE cells for fault-tolerant 28 nm CMOS RAM
    Stenin, V. Ya. ; Stepanov, P. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-11-01), Heft 6, S. 368-379
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Simulation of Transients in a Majority Gate upon Switching and Collecting Charge from the Track of a Single Particle.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), Heft 5, S. 332-344
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -