Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
14 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

14 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    TCAD modeling of NPN-SI-BJT electrical performance improvement through SiGe extrinsic stress layer
    Al-Sa'di, Mahmoud ; Fregonese, Sebastien ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 13 (2010-12-15), Heft 5/6, S. 344-348
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    EXPERIMENTAL CHARACTERIZATION AND MODELING ANALYSIS ON NPN AIGaN/GaN HBT WITH HIGH IDEALITY FACTOR IN BOTH COLLECTOR AND BASE CURRENT.
    SHIH-WEI, TAN ; SHIH-WEN, LAI
    In: Surface Review & Letters, Jg. 19 (2012-08-01), Heft 4, S. 1250043-1- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Simulation and experimental study of 3-step junction termination extension for high-voltage 4H-SiC gate turn-off thyristors.
    Lin, Lei ; Zhao, Jian H.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 86 (2013-08-01), S. 36-40
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A context-based simulation tool for design and evaluation of network processors
    Yin, Hao ; Tan, Zhangxi ; et al.
    In: Simulation Modelling Practice & Theory, Jg. 14 (2006-04-01), Heft 3, S. 263-278
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Analysis of the Novel Snapback-Free LIGBT With Fast-Switching and Improved Latch-Up Immunity by TCAD Simulation.
    Duan, Baoxing ; Licheng, Sun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019), Heft 1, S. 63-66
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Log-domain All-pass Filter-based Multiphase Sinusoidal Oscillators.
    PROMMEE, Pipat ; WONGPROMMOON, Natapong
    In: Radioengineering, Jg. 22 (2013-04-01), Heft 1, S. 14-23
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    2D-simulation and analysis of lateral SiC N-emitter SiGe P-base Schottky metal-collector (NPM) HBT on SOI
    Jagadesh Kumar, M. ; Linga Reddy, C.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 43 (2003-07-01), Heft 7, S. 1145-1149
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A silicon/indium arsenide source structure to suppress the parasitic bipolar-induced breakdown effect in SOI MOSFETs.
    Abbasi, Abdollah ; Orouji, Ali A.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 16 (2013-12-01), Heft 6, S. 1821-1827
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Single-Event Response of the SiGe HBT Operating in Inverse-Mode.
    Phillips, Stanley D. ; Moen, Kurt A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2682-2690
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Half-terahertz silicon/germanium heterojunction bipolar technologies: A TCAD based device architecture exploration
    Sibaja-Hernandez, Arturo ; You, Shuzhen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 65-66 (2011-11-01), S. 72-80
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Implementation of a Cognitive Radio Front-End Using Rotatable Controlled Reconfigurable Antennas.
    Tawk, Y. ; Costantine, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Antennas & Propagation, Jg. 59 (2011-05-01), Heft 5, S. 1773-1778
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 0.52 ppm/°C high-order temperature-compensated voltage reference.
    Liu, Yonggen ; Li, Zhaoji ; et al.
    In: Analog Integrated Circuits & Signal Processing, Jg. 62 (2010), Heft 1, S. 17-21
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Nondestructive Electrical Test Structure to Monitor Deep Trench Depth for Automated Parametric Process Control.
    Khemka, Vishnu ; Roggenbauer, Todd ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 17 (2004-05-01), Heft 2, S. 98-103
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Early effect of SiGe heterojunction bipolar transistors
    Xu, Xiao-Bo ; Zhang, He-Ming ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 72 (2012-06-01), S. 1-3
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -