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    Benchmark of a lithography simulation tool for next generation applications
    Tollkühn, B. ; Uhle, M. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-04-01), Heft 4-9, S. 1142-1147
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    TCAD modeling and simulation of self-limiting oxide growth and boron segregation during vertical silicon nanowire processing.
    Rossi, Chiara ; Müller, Jonas ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 174 (2024-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An iterative solver for the finite-difference frequency-domain (FDFD) method for the simulation of materials with negative permittivity.
    Pflaum, Christoph ; Rahimi, Zhabiz
    In: Numerical Linear Algebra with Applications, Jg. 18 (2011-08-01), Heft 4, S. 653-670
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    The GaN trench gate MOSFET with floating islands: High breakdown voltage and improved BFOM.
    Shen, Lingyan ; Müller, Stephan ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 114 (2018-02-01), S. 200-206
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    On an improved boron segregation calibration from a particularly sensitive power MOS process.
    Koffel, S. ; Burenkov, A. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 12-15
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Mask aligner lithography simulation – From lithography simulation to process validation
    Motzek, K. ; Partel, S. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 98 (2012-10-01), S. 121-124
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Simulation of 3D inclined/rotated UV lithography and its application to microneedles
    Liu, Shijie ; Roeder, Georg ; et al.
    In: Optik - International Journal for Light & Electron Optics, Jg. 123 (2012-05-15), Heft 10, S. 928-931
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Model experiments and numerical simulations for directional solidification of multicrystalline silicon in a traveling magnetic field
    Dadzis, K. ; Ehrig, J. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 333 (2011-10-15), Heft 1, S. 7-15
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Hierarchical Simulation of Process Variations and Their Impact on Circuits and Systems: Results.
    Lorenz, Jürgen K. ; Bar, Eberhard ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-08-01), Heft 8, S. 2227-2234
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Hierarchical Simulation of Process Variations and Their Impact on Circuits and Systems: Methodology.
    Lorenz, Jürgen K. ; Bar, Eberhard ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-08-01), Heft 8, S. 2218-2226
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Experiments and simulation of the diffusion and activation of the n-type dopants P, As, and Sb implanted into germanium
    Koffel, S. ; Kaiser, R.J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-04-01), Heft 4, S. 458-461
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Modeling of mask diffraction and projection imaging for advanced optical and EUV lithography.
    Erdmann, Andreas ; Shao, Feng ; et al.
    In: Journal of Modern Optics, Jg. 58 (2011-03-10), Heft 5/6, S. 480-495
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Determination of the Dill parameters of thick positive resist for use in modeling applications
    Roeder, G. ; Liu, S. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 519 (2011-02-28), Heft 9, S. 2978-2984
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Acid diffusion effects between resists in freezing processes used for contact hole patterning
    Fuhrmann, Jürgen ; Fiebach, André ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 87 (2010-05-01), Heft 5-8, S. 951-954
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Lossless average inductor current sensor for CMOS integrated DC–DC converters operating at high frequencies.
    Lorentz, V. R. H. ; Berberich, S. E. ; et al.
    In: Analog Integrated Circuits & Signal Processing, Jg. 62 (2010-03-01), Heft 3, S. 333-344
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Light-load efficiency increase in high-frequency integrated DC–DC converters by parallel dynamic width controlling.
    Lorentz, V. ; Berberich, S. ; et al.
    In: Analog Integrated Circuits & Signal Processing, Jg. 62 (2010), Heft 1, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A model of self-limiting residual acid diffusion for pattern doubling
    Fuhrmann, Jürgen ; Fiebach, André ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-04-01), Heft 4-6, S. 792-795
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Advanced lithography models for strict process control in the 32nm technology node
    Patsis, G.P. ; Drygiannakis, D. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-04-01), Heft 4-6, S. 513-516
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Simulation of dislocation density: Global modeling of bulk crystal growth by a quasi-steady approach of the Alexander–Haasen concept
    Bános, N. ; Friedrich, J. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-01-15), Heft 2, S. 501-507
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A new hybrid method for the global modeling of convection in CZ crystal growth configurations
    Fainberg, J. ; Vizman, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 303 (2007-05-01), Heft 1, S. 124-134
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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