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    academicJournal
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    Physics-Based Analytical Formulation of the Soft Error Rate in CMOS Circuits
    Autran, Jean-Luc ; Munteanu, Daniela ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023-05-01), S. 782-791
    Online unknown
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    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Dose and Single-Event Effects on a Color CMOS Camera for Space Exploration.
    Virmontois, Cedric ; Belloir, Jean-Marc ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 104-110
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology.
    Wang, Yuchong ; Liu, Fanyu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 1660-1667
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Modeling of Elevated Temperatures Impact on Single Event Transient in Advanced CMOS Logics Beyond the 65-nm Technological Node.
    Artola, L. ; Hubert, G.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1611-1617
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Heavy Ion Characterization of Temporal-, Dual- and Triple Redundant Flip-Flops Across a Wide Supply Voltage Range in a 65 nm Bulk CMOS Process.
    Hasanbegovic, Amir ; Aunet, Snorre
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 6, S. 2962-2970
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Comparison of a 65 nm CMOS Ring- and LC-Oscillator Based PLL in Terms of TID and SEU Sensitivity.
    Prinzie, Jeffrey ; Christiansen, Jorgen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 245-252
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Single-Event Upset Characterization Across Temperature and Supply Voltage for a 20-nm Bulk Planar CMOS Technology.
    Kauppila, J. S. ; Kay, W. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2613-2619
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Supply Voltage Dependency on the Single Event Upset Susceptibility of Temporal Dual-Feedback Flip-Flops in a 90 nm Bulk CMOS Process.
    Hasanbegovic, Amir ; Aunet, Snorre
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-15), Heft 4b, S. 1888-1897
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Temperature Dependence of MCU Sensitivity in 65 nm CMOS SRAM.
    Boruzdina, Anna B. ; Sogoyan, Armen V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2860-2866
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    SET Tolerance of 65 nm CMOS Majority Voters: A Comparative Study.
    Danilov, Igor A. ; Gorbunov, Maxim S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1597-1602
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Design of 65 nm CMOS SRAM for Space Applications: A Comparative Study.
    Gorbunov, Maxim S. ; Dolotov, Pavel S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1575-1582
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Proton, Electron, and Heavy Ion Single Event Effects on the HAS2 CMOS Image Sensor.
    Beaumel, Matthieu ; Herve, Dominique ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1909-1917
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Investigation of Low Dose Rate and Bias Conditions on the Total Dose Tolerance of a CMOS Flash-Based FPGA.
    Rezgui, Sana ; Wilcox, Edward P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 134-143
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Single-Event Upsets in Substrate-Etched CMOS SOI SRAMs Using Ultraviolet Optical Pulses With Sub-Micrometer Spot Size.
    McMorrow, Dale ; Khachatrian, Ani ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4184-4191
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Supply Voltage Dependent On-Chip Single-Event Transient Pulse Shape Measurements in 90-nm Bulk CMOS Under Alpha Irradiation.
    Hofbauer, Michael ; Schweiger, Kurt ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-10), Heft 4, S. 2640-2646
    Online academicJournal
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    An Investigation of the SET Response of Devices and Differential Pairs in a 32-nm SOI CMOS Technology.
    Fleetwood, Zachary E. ; Lourenco, Nelson E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2643-2649
    Online academicJournal
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    An Investigation of Single Event Transient Response in 45-nm and 32-nm SOI RF-CMOS Devices and Circuits.
    England, Troy D. ; Arora, Rajan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4405-4411
    Online academicJournal
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    Pulse Shape Measurements by On-Chip Sense Amplifiers of Single Event Transients Propagating Through a 90 nm Bulk CMOS Inverter Chain.
    Hofbauer, Michael ; Schweiger, Kurt ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2778-2784
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Real-Time Soft-Error Testing Results of 45-nm, High-K Metal Gate, Bulk CMOS SRAMs.
    Seifert, Norbert ; Kirsch, Matthew
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2818-2823
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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