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    Analysis of SOI CMOS Microprocessor's SEE Sensitivity: Correlation of the Results Obtained by Different Test Methods.
    Gorbunov, Maxim S. ; Vasilegin, Boris V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 1130-1135
    Online academicJournal
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    Circuit-Level Layout-Aware Single-Event Sensitive-Area Analysis of 40-nm Bulk CMOS Flip-Flops Using Compact Modeling.
    Kauppila, Jeffrey S. ; Haeffner, Timothy D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2680-2686
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Variation of Digital SET Pulse Widths and the Implications for Single Event Hardening of Advanced CMOS Processes.
    Benedetto, J. M. ; Eaton, P. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-12-01), Heft 6, S. 2114-2119
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Semi-Empirical Method for Estimation of Single-Event Upset Cross Section for SRAM DICE Cells.
    Gorbunov, Maxim S. ; Boruzdina, Anna B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2250-2256
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Architecture of a Slow-Control ASIC for Future High-Energy Physics Experiments at SLHC.
    Gabrielli, A. ; de Robertis, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-06-02), Heft 3, S. 1163-1167
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Geometry-Aware Single-Event Enabled Compact Models for Sub-50 nm Partially Depleted Silicon-on-Insulator Technologies.
    Kauppila, Jeffrey S. ; Massengill, Lloyd W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-01), Heft 4a, S. 1589-1598
    Online academicJournal
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    Characterization of Single-Event Transient Pulse Broadening Effect in 65 nm Bulk Inverter Chains Using Heavy Ion Microbeam.
    Chi, Yaqing ; Song, Ruiqiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 119-124
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Modeling Single Event Transients in Advanced Devices and ICs.
    Artola, L. ; Gaillardin, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-01), Heft 4a, S. 1528-1539
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Heavy-Ion Induced Threshold Voltage Tails in Floating Gate Arrays.
    Gerardin, Simone ; Bagatin, Marta ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3199-3205
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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