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    Memory State Transient Analysis (MSTA): A New Soft Error Rate Measurement Method for CMOS Memory Elements Based on Stochastic Analysis.
    Bota, Sebastia A. ; Torrens, Gabriel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-15), Heft 6b, S. 3353-3361
    Online academicJournal
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    Single-Event Charge Collection and Upset in 40-nm Dual- and Triple-Well Bulk CMOS SRAMs.
    Chatterjee, Indranil ; Narasimham, Balaji ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2761-2767
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    DICE-Based Flip-Flop With SET Pulse Discriminator on a 90 nm Bulk CMOS Process.
    Maru, Akifumi ; Shindou, Hiroyuki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3602-3608
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Single Event Effect Induced Multiple-Cell Upsets in a Commercial 90 nm CMOS Digital Technology.
    Lawrence, Reed K. ; Kelly, Andrew T.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3367-3374
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Two-Dimensional Markov Chain Analysis of Radiation-Induced Soft Errors in Subthreshold Nanoscale CMOS Devices.
    Jannaty, Pooya ; Sabou, Florian C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-15), Heft 6, S. 3768-3774
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Incremental Enhancement of SEU Hardened 90 nm CMOS Memory Cell.
    Haddad, Nadim F. ; Kelly, Andrew T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 975-980
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Heavy Ion Energy Effects in CMOS SRAMs.
    Dodd, P. E. ; Schwank, J. R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-08-02), S. 889-893
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A New Approach for Single-Event Effects Testing With Heavy Ion and Pulsed-Laser Irradiation: CMOS/SOI SRAM Substrate Removal.
    Kanyogoro, Nderitu ; Buchner, Stephen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3414-3418
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Parametric Variability Affecting 45 nm SOI SRAM Single Event Upset Cross-Sections.
    Loveless, Thomas Daniel ; Alles, Michael L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3228-3233
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Multiple Bit Upsets and Error Mitigation in Ultra-Deep Submicron SRAMS.
    Mavis, D. G. ; Eaton, P. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3288-3294
    Online academicJournal
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    Impact of Process Variations on SRAM Single Event Upsets.
    Kauppila, A. V. ; Bhuva, Bharat L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 834-839
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    SRAM Alpha-SER Estimation From Word-Line Voltage Margin Measurements: Design Architecture and Experimental Results.
    Torrens, G. ; Paul, I. de ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1849-1855
    Online academicJournal
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    Reliability of Memories Protected by Multibit Error Correction Codes Against MBUs.
    Ming, Zhu ; Yi, Xiao Li ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-02-15), Heft 1, S. 289-295
    Online academicJournal
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    Muon-Induced Single Event Upsets in Deep-Submicron Technology.
    Sierawski, Brian D. ; Mendenhall, Marcus H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3273-3278
    Online academicJournal
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