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    Single-Event Upset Characterization Across Temperature and Supply Voltage for a 20-nm Bulk Planar CMOS Technology.
    Kauppila, J. S. ; Kay, W. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2613-2619
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Analysis of Charge Deposition and Collection Caused by Low Energy Neutrons in a 25-nm Bulk CMOS Technology.
    Abe, Shin-ichiro ; Watanabe, Yukinobu
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3519-3526
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Experimental Characterization and Simulation of Electron-Induced SEU in 45-nm CMOS Technology.
    Samaras, A. ; Pourrouquet, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3055-3060
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Electron-Induced Single Event Upsets in 28 nm and 45 nm Bulk SRAMs.
    Trippe, J. M. ; Reed, R. A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2709-2716
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Two-Photon Absorption Induced Single-Event Effects: Correlation Between Experiment and Simulation.
    Hales, Joel M. ; Roche, Nicolas J H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2867-2873
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Simulation of Light-Matter Interaction and Two-Photon Absorption Induced Charge Deposition by Ultrashort Optical Pulses in Silicon.
    Hales, Joel M. ; McMorrow, Dale ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3504-3511
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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