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    Study of SEU Sensitivity of SRAM-Based Radiation Monitors in 65-nm CMOS.
    Wang, Jialei ; Prinzie, Jeffrey ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 913-920
    Online academicJournal
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    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology.
    Wang, Yuchong ; Liu, Fanyu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 1660-1667
    Online academicJournal
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    Heavy Ion Characterization of Temporal-, Dual- and Triple Redundant Flip-Flops Across a Wide Supply Voltage Range in a 65 nm Bulk CMOS Process.
    Hasanbegovic, Amir ; Aunet, Snorre
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 6, S. 2962-2970
    Online academicJournal
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    Single-Event Upset Characterization Across Temperature and Supply Voltage for a 20-nm Bulk Planar CMOS Technology.
    Kauppila, J. S. ; Kay, W. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2613-2619
    Online academicJournal
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    Supply Voltage Dependency on the Single Event Upset Susceptibility of Temporal Dual-Feedback Flip-Flops in a 90 nm Bulk CMOS Process.
    Hasanbegovic, Amir ; Aunet, Snorre
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-15), Heft 4b, S. 1888-1897
    Online academicJournal
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    A CMOS Triple Inter-Locked Latch for SEU Insensitivity Design.
    Li, Tianwen ; Yang, Haigang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3265-3273
    Online academicJournal
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    Memory State Transient Analysis (MSTA): A New Soft Error Rate Measurement Method for CMOS Memory Elements Based on Stochastic Analysis.
    Bota, Sebastia A. ; Torrens, Gabriel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-15), Heft 6b, S. 3353-3361
    Online academicJournal
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    SET and SEU Analyses Based on Experiments and Multi-Physics Modeling Applied to the ATMEL CMOS Library in 180 and 90-nm Technological Nodes.
    Hubert, G. ; Truyen, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3178-3186
    Online academicJournal
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    Proton, Electron, and Heavy Ion Single Event Effects on the HAS2 CMOS Image Sensor.
    Beaumel, Matthieu ; Herve, Dominique ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1909-1917
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Single-Event Upsets in Substrate-Etched CMOS SOI SRAMs Using Ultraviolet Optical Pulses With Sub-Micrometer Spot Size.
    McMorrow, Dale ; Khachatrian, Ani ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4184-4191
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Analysis of Charge Deposition and Collection Caused by Low Energy Neutrons in a 25-nm Bulk CMOS Technology.
    Abe, Shin-ichiro ; Watanabe, Yukinobu
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3519-3526
    Online academicJournal
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    Experimental Characterization and Simulation of Electron-Induced SEU in 45-nm CMOS Technology.
    Samaras, A. ; Pourrouquet, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3055-3060
    Online academicJournal
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    Single-Event Performance of Sense-Amplifier Based Flip-Flop Design in a 16-nm Bulk FinFET CMOS Process.
    Jiang, H. ; Zhang, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 477-482
    Online academicJournal
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    SEU and SET of 65 Bulk CMOS Flip-flops and Their Implications for RHBD.
    Zhao, Yuanfu ; Wang, Liang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2666-2672
    Online academicJournal
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    Electron-Induced Single-Event Upsets in 45-nm and 28-nm Bulk CMOS SRAM-Based FPGAs Operating at Nominal Voltage.
    Gadlage, Matthew J. ; Roach, Austin H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2717-2724
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    Neutron Induced Single Event Upset Dependence on Bias Voltage for CMOS SRAM With BPSG.
    Vazquez-Luque, Aurelio ; Marin, Jesus ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-10), Heft 6, S. 4692-4696
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    New D-Flip-Flop Design in 65 nm CMOS for Improved SEU and Low Power Overhead at System Level.
    Glorieux, Maximilien ; Clerc, Sylvain ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4381-4386
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    Semi-Empirical Method for Estimation of Single-Event Upset Cross Section for SRAM DICE Cells.
    Gorbunov, Maxim S. ; Boruzdina, Anna B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2250-2256
    Online academicJournal
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    Low-Energy Protons—Where and Why “Rare Events” Matter.
    Rodbell, Kenneth P.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1204-1215
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    Impact of Aging Degradation on Heavy-Ion SEU Response of 28-nm UTBB FD-SOI Technology.
    Mounir Mahmoud, M. ; Prinzie, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 1865-1875
    Online academicJournal
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