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    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology.
    Wang, Yuchong ; Liu, Fanyu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 1660-1667
    Online academicJournal
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    Heavy Ion Characterization of Temporal-, Dual- and Triple Redundant Flip-Flops Across a Wide Supply Voltage Range in a 65 nm Bulk CMOS Process.
    Hasanbegovic, Amir ; Aunet, Snorre
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 6, S. 2962-2970
    Online academicJournal
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    Single-Event Upset Characterization Across Temperature and Supply Voltage for a 20-nm Bulk Planar CMOS Technology.
    Kauppila, J. S. ; Kay, W. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2613-2619
    Online academicJournal
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    Supply Voltage Dependency on the Single Event Upset Susceptibility of Temporal Dual-Feedback Flip-Flops in a 90 nm Bulk CMOS Process.
    Hasanbegovic, Amir ; Aunet, Snorre
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-15), Heft 4b, S. 1888-1897
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Proton, Electron, and Heavy Ion Single Event Effects on the HAS2 CMOS Image Sensor.
    Beaumel, Matthieu ; Herve, Dominique ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1909-1917
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Single-Event Upsets in Substrate-Etched CMOS SOI SRAMs Using Ultraviolet Optical Pulses With Sub-Micrometer Spot Size.
    McMorrow, Dale ; Khachatrian, Ani ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4184-4191
    Online academicJournal
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    Single-Event Performance of Sense-Amplifier Based Flip-Flop Design in a 16-nm Bulk FinFET CMOS Process.
    Jiang, H. ; Zhang, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 477-482
    Online academicJournal
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    Volltext
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    SEU and SET of 65 Bulk CMOS Flip-flops and Their Implications for RHBD.
    Zhao, Yuanfu ; Wang, Liang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2666-2672
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Electron-Induced Single-Event Upsets in 45-nm and 28-nm Bulk CMOS SRAM-Based FPGAs Operating at Nominal Voltage.
    Gadlage, Matthew J. ; Roach, Austin H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2717-2724
    Online academicJournal
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    Neutron Induced Single Event Upset Dependence on Bias Voltage for CMOS SRAM With BPSG.
    Vazquez-Luque, Aurelio ; Marin, Jesus ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-10), Heft 6, S. 4692-4696
    Online academicJournal
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    New D-Flip-Flop Design in 65 nm CMOS for Improved SEU and Low Power Overhead at System Level.
    Glorieux, Maximilien ; Clerc, Sylvain ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4381-4386
    Online academicJournal
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    Semi-Empirical Method for Estimation of Single-Event Upset Cross Section for SRAM DICE Cells.
    Gorbunov, Maxim S. ; Boruzdina, Anna B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2250-2256
    Online academicJournal
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    Single Events in a COTS Soft-Error Free SRAM at Low Bias Voltage Induced by 15-MeV Neutrons.
    Clemente, Juan Antonio ; Franco, Francisco J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2072-2079
    Online academicJournal
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    Electron-Induced Single Event Upsets in 28 nm and 45 nm Bulk SRAMs.
    Trippe, J. M. ; Reed, R. A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2709-2716
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Two-Photon Absorption Induced Single-Event Effects: Correlation Between Experiment and Simulation.
    Hales, Joel M. ; Roche, Nicolas J H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2867-2873
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    A 65 nm Temporally Hardened Flip-Flop Circuit.
    Li, Y. Q. ; Wang, H. B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 6, S. 2934-2940
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    An Area Efficient Stacked Latch Design Tolerant to SEU in 28 nm FDSOI Technology.
    Wang, H. B. ; Chen, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 6, S. 3003-3009
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    Statistical Anomalies of Bitflips in SRAMs to Discriminate SBUs From MCUs.
    Clemente, Juan Antonio ; Franco, Francisco J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2087-2094
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Electron-Induced Single-Event Upsets in Static Random Access Memory.
    King, M. P. ; Reed, R. A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4122-4129
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