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    Dose and Single-Event Effects on a Color CMOS Camera for Space Exploration.
    Virmontois, Cedric ; Belloir, Jean-Marc ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 104-110
    Online academicJournal
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    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology.
    Wang, Yuchong ; Liu, Fanyu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 1660-1667
    Online academicJournal
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    Electron-Induced Single-Event Upsets in 45-nm and 28-nm Bulk CMOS SRAM-Based FPGAs Operating at Nominal Voltage.
    Gadlage, Matthew J. ; Roach, Austin H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2717-2724
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Circuit-Level Layout-Aware Single-Event Sensitive-Area Analysis of 40-nm Bulk CMOS Flip-Flops Using Compact Modeling.
    Kauppila, Jeffrey S. ; Haeffner, Timothy D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2680-2686
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Single-Event Upsets and Distributions in Radiation-Hardened CMOS Flip-Flop Logic Chains.
    Dodd, Paul E. ; Shaneyfelt, Marty R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2695-2701
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Electron-Induced Single Event Upsets in 28 nm and 45 nm Bulk SRAMs.
    Trippe, J. M. ; Reed, R. A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2709-2716
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Impact of Process Variations and Charge Sharing on the Single-Event-Upset Response of Flip-Flops.
    Kauppila, A. V. ; Bhuva, B. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2658-2663
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Fault-Tolerant SOI Microprocessor for Space Applications.
    Osipenko, Pavel N. ; Antonov, Andrey A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 4, S. 2762-2767
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Two-Photon Absorption Induced Single-Event Effects: Correlation Between Experiment and Simulation.
    Hales, Joel M. ; Roche, Nicolas J H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2867-2873
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Simulation of Laser-Based Two-Photon Absorption Induced Charge Carrier Generation in Silicon.
    Hales, Joel M. ; Khachatrian, Ani ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-01), Heft 4a, S. 1550-1557
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Electron-Induced Single-Event Upsets in Static Random Access Memory.
    King, M. P. ; Reed, R. A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4122-4129
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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