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    Low‐power up‐conversion folded CMOS mixer for 2–12 GHz ultra‐wideband applications.
    Chen, Jun‐Da ; Qian, Jia‐bin
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation (Wiley-Blackwell), Jg. 14 (2020-12-01), Heft 15, S. 1975-1982
    Online academicJournal
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    Modelling and kink correction of 0.18μm bulk CMOS at liquid helium temperature.
    Li, Zhen ; Luo, Chao ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 55 (2019-07-01), Heft 14, S. 780-783
    Online academicJournal
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    3‐5 GHz multifinger CMOS LNA using a simultaneous noise and impedance matching technique by a significant reduction of broadband impedance variation of metal–oxide–semiconductor field effect transistor.
    Reza, Sakib ; Roy, Apratim
    In: IET Circuits, Devices & Systems (Wiley-Blackwell), Jg. 14 (2020-10-01), Heft 7, S. 956-965
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design of high‐efficiency CMOS rectifier with low reverse leakage for RF energy harvesting.
    Kim, Hyeonwoo ; Kwon, Ickjin
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 55 (2019-04-01), Heft 7, S. 446-448
    Online academicJournal
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    Four‐stage CMOS amplifier: frequency compensated using differential block.
    Babazadeh Daryan, Behnam ; Khalesi, Hassan ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems (Wiley-Blackwell), Jg. 14 (2020-09-01), Heft 6, S. 762-769
    academicJournal
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    1.2 V 10‐bits 40 MS/s CMOS SAR ADC for low‐power applications.
    Lu, Chi‐Chang ; Huang, Ding‐Ke
    In: IET Circuits, Devices & Systems (Wiley-Blackwell), Jg. 13 (2019-09-01), Heft 6, S. 857-862
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    12 b 50 MS/s 0.18 μm CMOS SAR ADC based on highly linear C‐R hybrid DAC.
    Park, J.‐S. ; Kim, D.‐H. ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 56 (2020-02-01), Heft 3, S. 119-121
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    0.5 V bulk‐driven CMOS fully differential current feedback operational amplifier.
    Kumngern, Montree ; Khateb, Fabian ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems (Wiley-Blackwell), Jg. 13 (2019-05-01), Heft 3, S. 314-320
    academicJournal
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    Highly linear combining CMOS PA with AAAC.
    Jeong, G. ; Kang, S. ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 54 (2018-07-01), Heft 15, S. 955-957
    Online academicJournal
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    CMOS transconductor with improved linearity using the bulk of self‐cascode transistors.
    Thomas‐Erviti, G. ; Algueta‐Miguel, J.M. ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 53 (2017-02-01), Heft 3, S. 136-138
    Online academicJournal
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    1–2 GHz 2 mW injection‐locked ring oscillator based phase shifter in 0.18 µm CMOS technology.
    Jin, Cai Long ; Yu, Xiao Peng ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 52 (2016-10-01), Heft 21, S. 1858-1860
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Ultra‐low‐power, high PSRR CMOS voltage reference with negative feedback.
    Zeng, Yanhan ; Li, Yuao ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems (Wiley-Blackwell), Jg. 11 (2017-11-01), Heft 6, S. 535-542
    academicJournal
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    Micropower CMOS lock‐in amplifier for portable applications.
    Maya Hernández, P.M. ; Sanz Pascual, M.T. ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 52 (2016-05-01), Heft 11, S. 828-830
    Online academicJournal
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    Low‐jitter spread spectrum clock generator using charge pump frequency detector in 0.18 μm CMOS for USB3.1 transceivers.
    Sadrafshari, Shamin ; Eskandari, Razieh ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems (Wiley-Blackwell), Jg. 12 (2018), Heft 1, S. 99-107
    academicJournal
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    19.1 GHz 18 mW divide‐by‐3 heterodyne injection locking frequency divider in 0.18 µm CMOS technology.
    Huang, Jian‐Hua ; Yu, Xiao‐Peng ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 52 (2016-06-01), Heft 13, S. 1076-1078
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    3.125 Gbit/s CMOS transceiver for duobinary modulation over 50‐m SI‐POF channels.
    Aguirre, J. ; Sánchez‐Azqueta, C. ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 53 (2017-02-01), Heft 3, S. 258-260
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Sub‐harmonic upconversion mixer using 0.18 μm CMOS technology.
    Jin, Jie ; Wang, Chunhua ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 50 (2014-12-01), Heft 25, S. 1955-1957
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Bandwidth enhancement technique for CMOS RGC transimpedance amplifier.
    Kim, Young‐Ho ; Jung, Eui‐Suk ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 50 (2014-06-01), Heft 13, S. 882-884
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    6.8 mW 15 dBm IIP3 CMOS common‐gate LNA employing post‐linearisation technique.
    Guo, Benqing ; Wen, Guangjun ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 50 (2014), Heft 1, S. 149-151
    Online academicJournal
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    1 V CMOS current references for wide‐temperature range applications.
    Calvo, B. ; Azcona, C. ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 49 (2013-08-01), Heft 17, S. 1061-1063
    Online academicJournal
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