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    A Soft-Error Hardened by Design Microprocessor Implemented on Bulk 12-nm FinFET CMOS.
    Clark, Lawrence T. ; Duvnjak, Alen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1602-1609
    Online academicJournal
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    Experimental Soft Error Rate of Several Flip-Flop Designs Representative of Production Chip in 32 nm CMOS Technology.
    Gasiot, Gilles ; Glorieux, Maximilien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4226-4231
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Impact of Neutron-Induced Displacement Damage on the Multiple Bit Upset Sensitivity of a Bulk CMOS SRAM.
    Gadlage, Matthew J. ; Kay, Matthew J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2722-2728
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Single-Event Tolerant Flip-Flop Design in 40-nm Bulk CMOS Technology.
    Jagannathan, S. ; Loveless, T. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 3033-3037
    Online academicJournal
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    Pulse Shape Measurements by On-Chip Sense Amplifiers of Single Event Transients Propagating Through a 90 nm Bulk CMOS Inverter Chain.
    Hofbauer, Michael ; Schweiger, Kurt ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2778-2784
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Real-Time Soft-Error Testing Results of 45-nm, High-K Metal Gate, Bulk CMOS SRAMs.
    Seifert, Norbert ; Kirsch, Matthew
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2818-2823
    Online academicJournal
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    Neutron Radiation Induced Soft Error Rates for an Adjacent-ECC Protected SRAM in 28 nm CMOS.
    Neale, Adam ; Sachdev, Manoj
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-06-22), Heft 3c, S. 1912-1917
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    SEU and SET of 65 Bulk CMOS Flip-flops and Their Implications for RHBD.
    Zhao, Yuanfu ; Wang, Liang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2666-2672
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Supply Voltage Dependence of Heavy Ion Induced SEEs on 65 nm CMOS Bulk SRAMs.
    Wu, Qiong ; Li, Yuanqing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-15), Heft 4b, S. 1898-1904
    Online academicJournal
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    Single Event Transients in Digital CMOS—A Review.
    Ferlet-Cavrois, Veronique ; Massengill, Lloyd W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-06-10), Heft 3, S. 1767-1790
    Online academicJournal
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    Frequency Dependence of Alpha-Particle Induced Soft Error Rates of Flip-Flops in 40-nm CMOS Technology.
    Jagannathan, S. ; Loveless, T. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2796-2802
    Online academicJournal
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    The Susceptibility of 45 and 32 nm Bulk CMOS Latches to Low-Energy Protons.
    Seifert, Norbert ; Gill, Balkaran ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2711-2718
    Online academicJournal
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    New D-Flip-Flop Design in 65 nm CMOS for Improved SEU and Low Power Overhead at System Level.
    Glorieux, Maximilien ; Clerc, Sylvain ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4381-4386
    Online academicJournal
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    Underground Experiment and Modeling of Alpha Emitters Induced Soft-Error Rate in CMOS 65 nm SRAM.
    Martinie, Sebastien ; Autran, Jean-Luc ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 1048-1053
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Characterization of Single-Event Transient Pulse Broadening Effect in 65 nm Bulk Inverter Chains Using Heavy Ion Microbeam.
    Chi, Yaqing ; Song, Ruiqiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 119-124
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    Table of Contents.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1413-1414
    Online academicJournal
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    Investigation of Electrical Latchup and SEL Mechanisms at Low Temperature for Applications Down to 50 K.
    Al Youssef, A. ; Artola, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8 Part 1, S. 2089-2097
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    Neutron-Induced Multiple-Cell Upsets in 20-nm Bulk SRAM: Angular Sensitivity and Impact of Multiwell Potential Perturbation.
    Kato, Takashi ; Yamazaki, Takashi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1381-1389
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    Radiation-Tolerant Code-Density Calibration of Nyquist-Rate Analog-to-Digital Converters.
    Grace, Carl R. ; Denes, Peter ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-04-15), Heft 2, S. 1303-1310
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    Design Framework for Soft-Error-Resilient Sequential Cells.
    Lee, Hsiao-Heng Kelin ; Lilja, Klas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 3026-3032
    Online academicJournal
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