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    Low-Noise and High-Frequency 0.10mum Body-Tied SOI-CMOS Technology with High-Resistivity Substrate for Low-Power 10Gbps Network LSI : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Iwamatsu, T. ; Tujiuchi, M. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 754-755
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fully Depleted SOI CMOS Device with Raised Source/Drain for 90nm Embedded SRAM Technology : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Oh, M. H. ; Park, C. H. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 756-757
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High Performance 45nm CMOS Technology with 20nm Multi-Gate Devices : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Krivokapic, Z. ; Tabery, C. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 760-761
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultralow-Power CMOS/SOI Circuit Technology for Ubiquitous Communications (Invited) : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Kado, Y. ; Matsuya, Y. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 746-747
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Optimization of the Ultra-Low Dark Current CMOS Image Sensor Cell Using n+ Ring Reset : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Huang, P. H. ; King, Y. C.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 728-729
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    0.13mum Low-k/Cu Logic CMOS Based Technology for High Performance Analog Devices : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Guo, J. C. ; Lien, W. Y. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 714-715
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Compact Electrical Characterization of Nano-CMOS Transistor with 1.2nm Ultrathin Gate Dielectric : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Kang, H. S. ; Quan, W. Y. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 496-497
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of Ti/TiN (Glue/Barrier Layer) Formation on Ultra-thin Gate Oxide Reliability (HCI and NBTI) for Deep Sub-micron CMOS Transistors : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Liu, C. H. ; Chen, M. G. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 518-519
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An Integrated Gate Stack Process for Sub-90nm CMOS Technology : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Chang, S. J. ; Wu, S. Y. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 460-461
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Novel ESD Protection Design for Nanoscale CMOS Integrated Circuits : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Ker, M. D. ; Tseng, T. K.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 426-427
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of Pocket Implant Effect on Drain Current Flicker Noise in High Performance Analog CMOS Devices : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Wu, J. W. ; Guo, J. C. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 416-417
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Design Issues for Sub-100nm Analog CMOS : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Garg, M. ; Suryagandh, S. S. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 434-435
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Optimization of STI Stress and Active Geometry Configuration for Advanced CMOS Devices : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Lin, T. ; Gong, Y. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 414-415
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Efficient Suppression of Substrate Noise Coupling in CMOS Technology : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Yeh, W. K. ; Chen, S. M. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 408-409
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Variable RF Inductor on Si CMOS Chip : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Gomi, S. ; Yokoyama, Y. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 398-399
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Bioluminometry by CMOS-Based Active Pixel Photodiode Array with Accurate Background Noise Compensation : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Yazawa, Y. ; Kamahori, M. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 354-355
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    SiGe in Advanced CMOS Devices - An Unique Material Equally Helpful When Present or Absent (Invited) : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Skotnicki, T.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 288-289
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Strained Si MOSFETs on SiGe-on-Insulator (SGOI) for High Performance CMOS Technology (Invited) : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Rim, K. ; Lee, B. H. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 264-265
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low-Power Real-Time Region-Growing Image-Segmentation in 0.35mum CMOS due to Subdivided-Image and Boundary-Active-Only Architectures : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Morimoto, T. ; Harada, Y. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 146-147
    Konferenz
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    A HfAlOx Gate Dielectric FET Technology Compatible with a Conventional Poly-Si Gate CMOS Process : Extended abstracts of the 2003 international conference on solid state devices and materials
    Ohji, H. ; Mutoh, A. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2003, S. 166-167
    Konferenz
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