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    A Transformer-Combined 31.5 dBm Outphasing Power Amplifier in 45 nm LP CMOS With Dynamic Power Control for Back-Off Power Efficiency Enhancement : Solid-state circuits
    Tai, W. ; Xu, H. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 47 (2012), Heft 7, S. 1646-1658
    Online Konferenz
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    A 1.95 GHz Sub-1 dB NF, +40 dBm OIP3 WCDMA LNA Module : Solid-state circuits
    Bergervoet, J. ; Leenaerts, D.M.W. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 47 (2012), Heft 7, S. 1672-1680
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A 60 GHz Power Amplifier With 14.5 dBm Saturation Power and 25% Peak PAE in CMOS 65 nm SOI : European solid-state circuits conference ESSCIRC
    Siligaris, A. ; Hamada, Y. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 45 (2010), Heft 7, S. 1286-1294
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    A 25 dBm Digitally Modulated CMOS Power Amplifier for WCDMA/EDGE/OFDM With Adaptive Digital Predistortion and Efficient Power Control : European solid-state circuits conference; (ESSCIRC)
    Presti, C. D. ; Carrara, F. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 44 (2009), Heft 7, S. 1883-1896
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    A Formula Not Shown 31.5 dBm CMOS RF Doherty Power Amplifier for Wireless Communications : IEEE International solid-state circuits conference
    Wongkomet, N. ; Tee, L. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, Jg. 41 (2006), Heft 12, S. 2852-2859
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Class 1 Bluetooth Power Amplifier with 24 dBm Output Power and 48% PAE at 2.4 GHz in 0.25 mum CMOS : European solid-state circuits conference; ESSCIRC '2001
    Vathulya, V. ; Sowlati, T. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID STATE CIRCUITS CONFERENCE, 2001, S. 84-87
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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