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    Effect of Lattice Mismatch on HgCdTe LPE Film Surface Morphology
    Sun, Quanzhi ; Wei, Yanfeng ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 45 (2016-05-24), S. 4674-4679
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    Characteristics of Au Migration and Concentration Distributions in Au-Doped HgCdTe LPE Materials
    Wei, Yanfeng ; Sun, Quanzhi ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 44 (2015-03-21), S. 2773-2778
    Online unknown
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    Composition and thickness control of thin LPE HgCdTe layers using x-ray diffraction
    Tobin, S. P. ; Norton, Peter W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-06-01), S. 781-791
    Online unknown
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    Control of the critical supercooling in LPE
    Mishurnyi, V.A. ; F. de Anda ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-12-01), S. 1402-1405
    Online unknown
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    Some perspectives and peculiarities of the LPE growth of multicomponent Sb-based solid solutions from pentanary liquid phases
    Gorbatchev, A.Yu. ; Vasiĺev, V. I. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-08-01), S. 959-962
    Online unknown
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    Spectral characteristics of GaAs solar cells grown by LPE
    Smekalin, K. ; Mintairov, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999), S. 35-38
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    Trace copper measurements and electrical effects in LPE HgCdTe
    Tobin, S. P. ; Tower, J. P. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-08-01), S. 1183-1187
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    N-Type Hg1−xCdxTe: Undoped x = 0.3 LPE material for sprite IR detectors
    Capocci, F. A. ; Capper, P. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-06-01), S. 1014-1018
    Online unknown
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    Surface treatment effects on the electrical properties of the interfaces between ZnS and LPE-grown Hg0.7Cd0.3Te
    Seong Hoon Lee ; Soo Ho Bae ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-06-01), S. 684-688
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Advanced magneto-transport characterization of LPE-grown Hg1-xCdx Te by quantitative mobility spectrum analysis
    Tobin, S. P. ; Liao, P. K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-08-01), S. 1157-1164
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Key performance-limiting defects in P-on-N HgCdTe LPE heterojunction infrared photodiodes
    List, R. S. ; Chen, M. C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-08-01), S. 1375-1382
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Raman scattering study of the immiscible region in InGaAsP grown by LPE on (100) and (111) GaAs
    Sawaki, Nobuhiko ; Hase, Nobuyasu ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-05-01), S. 695-699
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Controlled p-type Sb doping in LPE-grown Hg1−x Cdx Te epilayers
    Harman, T. C.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 22 (1993-09-01), S. 1165-1172
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Slider LPE of Hg1-xCdxTe using mercury pressure controlled growth solutions
    Harman, T. C.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 10 (1981-11-01), S. 1069-1084
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    New model of LPE growth: Growth rate calculation
    Minadjinov, M. S. ; Khrjapov, V. T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 7 (1978-11-01), S. 775-789
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    New model OP LPE growth: Layer thickness calculation
    A. Ju. Malinin ; Nevsky, O. B.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 7 (1978-11-01), S. 757-774
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High purity LPE InP
    Eastman, L.F. ; Wrick, V. L. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 7 (1978-03-01), S. 253-261
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Electrical properties of indium-doped LPE layers of Pb1−xSnx Te
    Shtrikman, H. ; Tamari, N. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 10 (1981-03-01), S. 301-312
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Study of grown-in defects and effect of thermal annealing in Al0.3Ga0.7As and GaAs LPE layers
    Hutchby, J. A. ; Li, S. S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 11 (1982-03-01), S. 273-287
    Online unknown
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    The growth of buffered GaAs mesfet structures by LPE
    Houston, Peter A.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 9 (1980), S. 79-93
    Online unknown
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