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    Study of porous III–V semiconductors by electron spectroscopies (AES and XPS) and optical spectroscopy (PL): Effect of ionic bombardment and nitridation process
    Bremond, Georges ; Hamila, R. ; et al.
    In: Surface Science, Jg. 601 (2007-09-01), S. 4531-4535
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Shape and size effects on multi‐exciton complexes in single InAs quantum dots grown on InP(001) substrate
    Regreny, Philippe ; Chauvin, Nicolas ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 3 (2006-11-22), S. 3912-3915
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Influence of an epitaxial Si capping of Ge islands on Si(0 0 1) and Si(1 1 0) by LPCVD
    Vescan, L. ; Dieker, Ch. ; et al.
    In: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Jg. 17 (2003-04-01), S. 507-509
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    UV photoreflectance spectroscopy in strained silicon on insulator structures
    Bru-Chevallier, Catherine ; Chouaib, Houssam ; et al.
    2009
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Optimizing the spacer layer thickness of vertically stacked InAs/GaAs quantum dots
    Marty, Olivier ; Salem, Bassem ; et al.
    2006
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Optical investigation of single self-organized InAs/InP quantum dashes emitting in the 1.3–1.5 µm range
    Gendry, Michel ; Benyattou, Taha ; et al.
    2005
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Anti-correlated vertical self-organization of InAs nanowires in stacked structures on InP(001) with InAlAs spacer layer
    Brault, Julien ; Bremond, Georges ; et al.
    2003
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Strong carrier confinement and evidence for excited states in self-assembled InAs quantum islands grown on InP(001)
    Monat, Christelle ; Bremond, Georges ; et al.
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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