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    Study of thermally grown and photo-CVD deposited silicon oxide-silicon nitride stack layers.
    Sahu, B. S. ; Kapoor, A. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 18 (2003-07-01), Heft 7, S. 670-675
    Online academicJournal
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    Spin-dependent photoconductivity in CVD- and MBE-grown silicon-on-sapphire.
    O'Raifeartaigh, C. ; Bradley, L. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 10 (1995-12-01), S. 1595-1603
    Online academicJournal
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    Spectroscopic determination of carbon dimer densities in Ar-H2-CH4 and Ar-H2-C60 plasmas.
    Goyette, A. N. ; Lawler, J. E. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 31 (1998-08-21), Heft 16, S. 1975-1986
    Online academicJournal
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    Tensile-strained Si layers grown on Si0.6Ge0.4 and Si0.5Ge0.5 virtual substrates: I. Film thickness and morphology.
    Hartmann, J. M. ; Abbadie, A. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 22 (2007-04-01), Heft 4, S. 354-361
    Online academicJournal
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    Tensile-strained Si layers grown on Si0.6Ge0.4 and Si0.5Ge0.5 virtual substrates: II. Strain and defects.
    Hartmann, J. M. ; Abbadie, A. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 22 (2007-04-01), Heft 4, S. 362-368
    Online academicJournal
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    Characteristics of strained-germanium p- and n-channel field effect transistors on a Si (1 1 1) substrate.
    Maikap, S. ; Lee, M. H. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 22 (2007-04-01), Heft 4, S. 342-347
    Online academicJournal
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    Dielectric and infrared properties of TiO2 films containing anatase and rutile.
    Busani, T. ; Devine, R. A. B.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 20 (2005-08-01), Heft 8, S. 870-875
    Online academicJournal
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    The evolution of the translational energy of hydrogen atoms in a 2 MHz inductively coupled plasma deposition reactor.
    Andrieux, M. ; Badie, J. M. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 31 (1998-06-21), Heft 12, S. 1457-1464
    Online academicJournal
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    Plasma ash modulation of TDDB thermal activation energy in damascene SiOC:H.
    Li, Yunlong ; Tőkei, Zsolt ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 22 (2007-04-01), Heft 4, S. 320-325
    Online academicJournal
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    The gas phase emitter effect at the anode in a high pressure sodium vapour discharge.
    Hartmann, T. ; Guenther, K. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 43 (2010-01-20), Heft 2, S. 25201-1- (7S.)
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Characteristics of strained GaAs1-ySby(0.16 ≤ y ≤ 0.69) quantum wells on InP substrates.
    Huang, J. Y. T. ; Xu, D. P. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 40 (2007-12-21), Heft 24, S. 7656-7661
    Online academicJournal
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    TiO2/GeOxNy stacked gate dielectrics for Ge-MOSFETs.
    Bera, M. K. ; Mahata, C. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 22 (2007-12-01), Heft 12, S. 1352-1361
    Online academicJournal
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    Thick polycrystalline MgB2 film on Cu substrate by hybrid physical-chemical vapour deposition.
    Li, Fen ; Guo, Tao ; et al.
    In: Superconductor Science & Technology, Jg. 19 (2006-11-01), Heft 11, S. 1196-1199
    Online academicJournal
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    Growth and optical properties of peculiar ZnO tetrapods.
    He, Fa-Quan ; Zhao, Ya-Pu
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 39 (2006-05-21), Heft 10, S. 2105-2108
    Online academicJournal
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    Analysis of interface states of Al/TiO2/Si0.3 Ge0.7 MIS structures using the conductance technique.
    Chakraborty, S. ; Bera, M. K. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 21 (2006-02-01), Heft 3, S. 335-340
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    Noise and its correlation to deep defects in Mg-doped GaN.
    Seghier, D. ; Gislason, H. P.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 38 (2005-03-21), Heft 6, S. 843-846
    Online academicJournal
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    Magnetic and optical properties of Ga1-xMnxN grown by metalorganic chemical vapour deposition.
    Kane, M. H. ; Ashgar, A. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 20 (2005-03-01), Heft 3, S. L5- (5S.)
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    Thallium antimony sulfide and thallium bismuth sulfide thin films produced by heating chemically deposited multi-layers.
    Estrella, Verónica ; Nair, M. T. S. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 17 (2002-11-01), Heft 11, S. 1198-1204
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    Depth profiling variously deposited LPCVD polysilicon films using Raman microscopy.
    Parr, Andrea A. ; Bodart, Cécile ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 16 (2001-07-01), Heft 7, S. 608-613
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    Ultraviolet annealing of tantalum oxide films grown by photo-induced chemical vapour deposition.
    Zhang, Jun-Ying ; Boyd, Ian W. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 32 (1999-10-07), Heft 19, S. L91- (5S.)
    Online academicJournal
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