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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Comparative Analysis of MTJ/CMOS Hybrid Cells Based on TAS and In-Plane STT Magnetic Tunnel Junctions.
    Jovanovic, Bojan ; Brum, Raphael M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 51 (2015-02-15), Heft 2, S. 1-11
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Comparative Analysis of MTJ/CMOS Hybrid Cells Based on TAS and In-Plane STT Magnetic Tunnel Junctions
    Raphael Martins Brum ; Jovanovic, Bojan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 51 (2015-02-01), S. 1-11
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    STT-RAM Cell Design Considering CMOS and MTJ Temperature Dependence.
    Bi, Xiuyuan ; Li, Hai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 48 (2012-11-01), Heft 11, S. 3821-3824
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Energy-Efficient Differential Spin Hall MRAM-Based 4-2 Magnetic Compressor.
    Nehra, Vikas ; Prajapati, Sanjay ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 56 (2020), Heft 1, S. 1-11
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Soft Error-Tolerant Design of MRAM-Based Nonvolatile Latches for Sequential Logics.
    Rajaei, Ramin ; Fazeli, Mahdi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 51 (2015-06-01), Heft 6, S. 1-14
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Radiation-Hardened Design of Nonvolatile MRAM-Based FPGA.
    Rajaei, Ramin
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 52 (2016-10-01), Heft 10, S. 1-10
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    High-Speed, Low-Power, and Error-Free Asynchronous Write Circuit for STT-MRAM and Logic.
    Zhang, Deming ; Zeng, Lang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 52 (2016-08-01), Heft 8, S. 1-4
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    High-Frequency Low-Power Magnetic Full-Adder Based on Magnetic Tunnel Junction With Spin-Hall Assistance.
    Deng, Erya ; Wang, Zhaohao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 51 (2015-11-01), Heft 11, S. 1-4
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Variation-Tolerant High-Reliability Sensing Scheme for Deep Submicrometer STT-MRAM.
    Kang, Wang ; Li, Zheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 50 (2014-11-01), Heft 11, S. 1-4
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    DFSTT-MRAM: Dual Functional STT-MRAM Cell Structure for Reliability Enhancement and 3-D MLC Functionality.
    Kang, Wang ; Zhao, Weisheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 50 (2014-06-15), Heft 6, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Cost-Efficient Self-Terminated Write Driver for Spin-Transfer-Torque RAM and Logic.
    Suzuki, Daisuke ; Natsui, Masanori ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 50 (2014-11-01), Heft 11, S. 1-4
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Fully Nonvolatile Hybrid Full Adder Based on SHE+STT-MTJ/CMOS LIM Architecture.
    Barla, Prashanth ; Joshi, Vinod Kumar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 58 (2022-09-01), Heft 9, S. 1-11
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Fully Nonvolatile and Low Power Full Adder Based on Spin Transfer Torque Magnetic Tunnel Junction With Spin-Hall Effect Assistance.
    Amirany, Abdolah ; Rajaei, Ramin
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 54 (2018-12-01), Heft 12, S. 1-7
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Transistor-Less Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory Cell Design.
    Wang, Weizhong
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 51 (2015-11-01), Heft 11, S. 1-4
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Reliability Analysis and Comparison of Implication and Reprogrammable Logic Gates in Magnetic Tunnel Junction Logic Circuits.
    Mahmoudi, Hiwa ; Windbacher, Thomas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 49 (2013-12-01), Heft 12, S. 5620-5628
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Electrical Modeling of Stochastic Spin Transfer Torque Writing in Magnetic Tunnel Junctions for Memory and Logic Applications.
    Zhang, Yue ; Zhao, Weisheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 49 (2013-07-01), Heft 7, S. 4375-4378
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Description of Statistical Switching in Perpendicular STT-MRAM Within an Analytical and Numerical Micromagnetic Framework.
    Siracusano, G. ; Tomasello, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 54 (2018-05-01), Heft 5, S. 1-10
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Read–Write Circuit for STT-MRAM With Stochastic Switchings.
    Im, Il-Young ; Park, Sang-Gyu
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 54 (2018-05-01), Heft 5, S. 1-7
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Self-Terminated Write-Assist Technique for STT-RAM.
    Gupta, Mohit Kumar ; Hasan, Mohd.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 52 (2016-08-01), Heft 8, S. 1-6
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Influence of the Reference Layer Composition on the Back-End-of-Line Compatibility of Co/Ni-Based Perpendicular Magnetic Tunnel Junction Stacks.
    Tomczak, Yoann ; Lin, Tsann ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 52 (2016-07-01), Heft 7, S. 1-4
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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