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    Memory State Transient Analysis (MSTA): A New Soft Error Rate Measurement Method for CMOS Memory Elements Based on Stochastic Analysis.
    Bota, Sebastia A. ; Torrens, Gabriel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-15), Heft 6b, S. 3353-3361
    Online academicJournal
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    Temperature Dependence of MCU Sensitivity in 65 nm CMOS SRAM.
    Boruzdina, Anna B. ; Sogoyan, Armen V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2860-2866
    Online academicJournal
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    Design of 65 nm CMOS SRAM for Space Applications: A Comparative Study.
    Gorbunov, Maxim S. ; Dolotov, Pavel S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1575-1582
    Online academicJournal
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    Recoil-Ion-Induced Single Event Upsets in Nanometer CMOS SRAM Under Low-Energy Proton Radiation.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-01-15), Heft 1, part 2, S. 654-664
    Online academicJournal
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    Single-Event Upsets in Substrate-Etched CMOS SOI SRAMs Using Ultraviolet Optical Pulses With Sub-Micrometer Spot Size.
    McMorrow, Dale ; Khachatrian, Ani ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4184-4191
    Online academicJournal
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    Single-Event Charge Collection and Upset in 40-nm Dual- and Triple-Well Bulk CMOS SRAMs.
    Chatterjee, Indranil ; Narasimham, Balaji ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2761-2767
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Single Event Effect Induced Multiple-Cell Upsets in a Commercial 90 nm CMOS Digital Technology.
    Lawrence, Reed K. ; Kelly, Andrew T.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3367-3374
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Incremental Enhancement of SEU Hardened 90 nm CMOS Memory Cell.
    Haddad, Nadim F. ; Kelly, Andrew T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 975-980
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A New Approach for Single-Event Effects Testing With Heavy Ion and Pulsed-Laser Irradiation: CMOS/SOI SRAM Substrate Removal.
    Kanyogoro, Nderitu ; Buchner, Stephen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3414-3418
    Online academicJournal
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    Semi-Empirical Method for Estimation of Single-Event Upset Cross Section for SRAM DICE Cells.
    Gorbunov, Maxim S. ; Boruzdina, Anna B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2250-2256
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Single Events in a COTS Soft-Error Free SRAM at Low Bias Voltage Induced by 15-MeV Neutrons.
    Clemente, Juan Antonio ; Franco, Francisco J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2072-2079
    Online academicJournal
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    Angular Sensitivity of Neutron-Induced Single-Event Upsets in 12-nm FinFET SRAMs With Comparison to 20-nm Planar SRAMs.
    Kato, Takashi ; Hashimoto, Masanori ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1485-1493
    Online academicJournal
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    Parametric Variability Affecting 45 nm SOI SRAM Single Event Upset Cross-Sections.
    Loveless, Thomas Daniel ; Alles, Michael L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3228-3233
    Online academicJournal
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    Correction of Single Event Latchup Rate Prediction Using Pulsed Laser Mapping Test.
    Yu, Y. T. ; Han, J. W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-04-01), Heft 2, S. 565-570
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    State and Angular Dependence of Single-Event Upsets in an Asymmetric RC-Hardened SRAM Using Deep Trench Capacitors.
    Alles, Michael L. ; Schrimpf, Ronald D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3068-3073
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    SRAM Alpha-SER Estimation From Word-Line Voltage Margin Measurements: Design Architecture and Experimental Results.
    Torrens, G. ; Paul, I. de ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1849-1855
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    Single-Event Upset Prediction in SRAMs Account for On-Transistor Sensitive Volume.
    Tianqi, Wang ; Xiao, Liyi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-15), Heft 6b, S. 3207-3215
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    Influence of User-Controlled Parameters in Alpha Particle-Induced Single-Event Error Rates in Commercial SRAM Cells.
    Chatterjee, Indranil ; Bhuva, Bharat L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 872-879
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    Heavy Ion Testing With Iron at 1 GeV/amu.
    Pellish, Jonathan A. ; Xapsos, Michael A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-10-03), Heft 5, S. 2948-2954
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    The Effect of Active Delay Element Resistance on Limiting Heavy Ion SEU Upset Cross-Sections of SOT ADE/SRAMs.
    Liu, S. T. ; Nelson, D. K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 2480-2487
    Online academicJournal
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