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197 Treffer

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    Envelope tracking CMOS power amplifier with high-speed CMOS envelope amplifier for mobile handsets : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Yoshida, E. ; Sakai, Y. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EE19
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A capacitive CMOS-MEMS sensor designed by multi-physics simulation for integrated CMOS-MEMS technology : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Konishi, T. ; Yamane, D. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EE15
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A CMOS image sensor with stacked photodiodes for lensless observation system of digital enzyme-linked immunosorbent assay : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Takehara, H. ; Miyazawa, K. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EL02
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A hybrid system of carbon ink electrodes and chromatography paper on a CMOS chip and its application to enzymatic glucose sensor : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Miki, M. ; Iwahara, S. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EL06
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    An implantable CMOS device for blood-flow imaging during experiments on freely moving rats : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Haruta, M. ; Kitsumoto, C. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EL05
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Three-dimensional confocal imaging for breast cancer detection using CMOS Gaussian monocycle pulse transmitter and 4 x 4 ultra wideband antenna array with impedance matching layer : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Sugitani, T. ; Kubota, S. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EL03
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    CMOS temperature sensor using a resistively degenerated common-source amplifier biased by an adjustable proportional-to-absolute-temperature voltage : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Wang, R. L. ; Fu, C. C. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EJ06
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    CMOS common-mode rejection filter with floating active transformer operation : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Uchida, D. ; Ikebe, M. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EE20
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A CMOS image sensor using column-parallel forward noise-canceling circuitry : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Li, T. L. ; Wakashima, S. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EE14
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    An 8 channel, 20 V output CMOS switching driver with 3.3 V power supply using triple-well biasing techniques for integrated MEMS device control : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Takayasu, M. ; Shirane, A. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EE13
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A wide dynamic range CMOS image sensor with 200-1100 nm spectral sensitivity and high robustness to UV right exposure : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Nasuno, S. ; Kawada, S. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EE07
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Emulation of high-frequency substrate noise generation in CMOS digital circuits : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Shimazaki, S. ; Taga, S. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EE06
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A new laterally conductive bridge random access memory by fully CMOS logic compatible process : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Hsieh, M. C. ; Chin, Y. W. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04ED10
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A new 28 nm high-k metal gate CMOS logic one-time programmable memory cell : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Hsiao, W.Y. ; Mei, C.Y. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04ED01
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Negative differential conductivity and carrier heating in gate-all-around Si nanowire FETs and its impact on CMOS logic circuits : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Nayak, K. ; Bajaj, M. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EC16
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Low-cost and scalable embedded nonvolatile memory using quasi-planar bulk transistor with standard CMOS gate stacks : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Ota, K. ; Saitoh, M. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EC13
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Thermal and plasma treatments for improved (sub-)1 nm equivalent oxide thickness planar and FinFET-based replacement metal gate high-k last devices and enabling a simplified scalable CMOS integration scheme : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Veloso, A. ; Boccardi, G. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EA04
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Low nickel germanide contact resistances by carrier activation enhancement techniques for germanium CMOS application : Solid state devices and materials; SSDM 2013
    Miyoshi, H. ; Ueno, T. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS -NEW SERIES-, Jg. 53 (2014), Heft 4, S. 04EA05
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Improved Ti Self-Aligned Silicide Technology Using High Dose Ge Pre-Amorphization for 0.10m̆ CMOS and Beyond : Solid state devices and materials
    Ohuchi, K. ; Miyashita, K. ; et al.
    In: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1 REGULAR PAPERS SHORT NOTES AND REVIEW PAPER, Jg. 38, Heft 4B, S. 2238-2242
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Real-Time Variable-Resolution and Dynamic Range Boosting CMOS Image Sensor : International conference on solid state devices and materials
    Wang, J. J. ; Lin, C. J. ; et al.
    In: SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 2007, S. 1058-1059
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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