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    Via-Switch FPGA: 65-nm CMOS Implementation and Evaluation
    Banno, Naoki ; Numata, Hideaki ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-07-01), S. 2250-2262
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    QUEST: Multi-Purpose Log-Quantized DNN Inference Engine Stacked on 96-MB 3-D SRAM Using Inductive Coupling Technology in 40-nm CMOS
    Motomura, Masato ; Hirose, Kazutoshi ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019), S. 186-196
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    A 290-mV, 3.34-MHz, 6T SRAM With pMOS Access Transistors and Boosted Wordline in 65-nm CMOS Technology
    Sachdev, Manoj ; Nabavi, Morteza
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 53 (2018-02-01), S. 656-667
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    A 140-mV Variation-Tolerant Deep Sub-Threshold SRAM in 65-nm CMOS
    Sarfraz, Khawar ; He, Jin ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017-08-01), S. 2215-2220
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    5.6 Mb/mm $^{2}$ 1R1W 8T SRAM Arrays Operating Down to 560 mV Utilizing Small-Signal Sensing With Charge Shared Bitline and Asymmetric Sense Amplifier in 14 nm FinFET CMOS Technology
    Guo, Zheng ; Nalam, Satyanand ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017), S. 229-239
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    A 23-mW Face Recognition Processor with Mostly-Read 5T Memory in 40-nm CMOS
    Wang, Xiaolong ; Yu, Hao ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017-06-01), S. 1628-1642
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    A low-power microcontroller in a 40-nm CMOS using charge recycling
    Echeverri, Juan ; Arnoud van der Wel ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017-04-01), Heft 4, S. 950-960
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    A Sub-cm3 Energy-Harvesting Stacked Wireless Sensor Node Featuring a Near-Threshold Voltage IA-32 Microcontroller in 14-nm Tri-Gate CMOS for Always-ON Always-Sensing Applications
    Vangal, Sriram R. ; Wang, Tao ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017-04-01), S. 961-971
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    A Subthreshold ARM Cortex-M0+ Subsystem in 65 nm CMOS for WSN Applications with 14 Power Domains, 10T SRAM, and Integrated Voltage Regulator
    David Walter Flynn ; Prabhat, Pranay ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 51 (2016), S. 31-44
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 0.6 V, 1.5 GHz 84 Mb SRAM in 14 nm FinFET CMOS Technology With Capacitive Charge-Sharing Write Assist Circuitry
    Keane, John ; Kim, Daeyeon ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 51 (2016), S. 222-229
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 0.18-$\mu$m CMOS SoC for a 100-m-Range 10-Frame/s 200$\,\times\,$96-Pixel Time-of-Flight Depth Sensor
    Ogawa, Masaru ; Soga, Mineki ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 49 (2014), S. 315-330
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    In Situ SRAM Static Stability Estimation in 65-nm CMOS
    Chih-Kong Ken Yang ; Park, Henry
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 48 (2013-10-01), S. 2541-2549
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    A 0.41 µA Standby Leakage 32 kb Embedded SRAM with Low-Voltage Resume-Standby Utilizing All Digital Current Comparator in 28 nm HKMG CMOS
    Maeda, Noriaki ; Morimoto, Masao ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 48 (2013-04-01), S. 917-923
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    A 4.6 GHz 162 Mb SRAM Design in 22 nm Tri-Gate CMOS Technology With Integrated Read and Write Assist Circuitry
    Mistry, Kaizad ; Guo, Zheng ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 48 (2013), S. 150-158
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    A 512kb 8T SRAM Macro Operating Down to 0.57 V With an AC-Coupled Sense Amplifier and Embedded Data-Retention-Voltage Sensor in 45 nm SOI CMOS
    Qazi, Masood ; Stawiasz, Kevin ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 46 (2011), S. 85-96
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    Large-Scale SRAM Variability Characterization in 45 nm CMOS
    Pang, Liang-Teck ; Nikolic, Borivoje ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 44 (2009-11-01), S. 3174-3192
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    A 32-KB Standard CMOS Antifuse One-Time Programmable ROM Embedded in a 16-bit Microcontroller
    Lee, Kwyro ; Yun, Ilhyun ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 41 (2006-09-01), S. 2115-2124
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    Characterization of Dynamic SRAM Stability in 45 nm CMOS
    Seng Oon Toh ; Nikolic, Borivoje ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 46 (2011-11-01), S. 2702-2712
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    A Sub-600-mV, Fluctuation Tolerant 65-nm CMOS SRAM Array With Dynamic Cell Biasing
    Kowalczyk, Steven P. ; Ziegler, Matthew M. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 43 (2008-04-01), S. 946-955
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    A High-Speed Low-Power Multi-VDD CMOS/SIMOX SRAM With LV-TTL Level Input/Output Pins—Write/Read Assist Techniques for 1-V Operated Memory Cells
    Shibata, Nobutaro ; Watanabe, Mayumi ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 45 (2010-09-01), S. 1856-1869
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