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    Demonstration of Conductive Bridging Random Access Memory (CBRAM) in logic CMOS process
    GOPALAN, C ; MA, Y ; et al.
    In: Special Issue Devoted to the 2nd International Memory Workshop (IMW 2010), Jg. 58 (2011), Heft 1, S. 54-61
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A hierarchical defect repair approach for hybrid nano/CMOS memory reliability enhancement
    HABIBI, Mehdi ; POORMEIDANI, Hossein
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 2, S. 475-484
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A low power CMOS compatible embedded EEPROM for passive RFID tag
    LEE, Kyoung-Su ; CHUN, Jung-Hoon ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 41 (2010), Heft 10, S. 662-668
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design and analysis of a 32 nm PVT tolerant CMOS SRAM cell for low leakage and high stability
    SHENG, LIN ; KIM, Yong-Bin ; et al.
    In: Integration (Amsterdam), Jg. 43 (2010), Heft 2, S. 176-187
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Computing based on the physics of nano devices—A beyond-CMOS approach to human-like intelligent systems
    SHIBATA, Tadashi
    In: Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference 2009, ULIS 2009, Jg. 53 (2009), Heft 12, S. 1227-1241
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An embedded nonvolatile memory cell with spacer floating gate for power management integrated circuit applications
    NA, Kee-Yeol ; BAEK, Ki-Ju ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 86 (2013), S. 32-35
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    New global exponential stability results for a memristive neural system with time-varying delays
    AILONG, WU ; ZHIGANG, ZENG
    In: Neurocomputing (Amsterdam), Jg. 144 (2014), S. 553-559
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A journey towards reliability improvement of TiO2 based Resistive Random Access Memory: A review
    ACHARYYA, D ; HAZRA, A ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 3, S. 541-560
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Resistive switching effect on Al2O3/InGaAs stacks
    PALUMBO, F ; SHEKHTER, P ; et al.
    In: Insulating Films on Semiconductors 2013, Jg. 109 (2013), S. 83-86
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    3D gate-all-around bandgap-engineered SONOS flash memory in vertical silicon pillar with metal gate
    OH, Jae-Sub ; YANG, Seong-Dong ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 86 (2013), S. 6-10
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Investigation of STI edge effect on programming disturb in localized charge trapping SONOS flash memory cells
    YUE, XU ; FENG, YAN ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 52 (2012), Heft 7, S. 1337-1341
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation of impact of shallow trench isolation on SONOS type memory cells
    YUE, XU ; FENG, YAN ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 12, S. 1644-1649
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High density 3D memory architecture based on the resistive switching effect
    KÜGELER, C ; MEIER, M ; et al.
    In: Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference 2009, ULIS 2009, Jg. 53 (2009), Heft 12, S. 1287-1292
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Electrical properties of Pt interconnects for passive crossbar memory arrays
    ROSEZIN, R ; NAUENHEIM, C ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 86 (2009), Heft 11, S. 2275-2278
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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