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    Studies on grain boundaries in nanocrystalline silicon grown by hot-wire CVD
    FONRODONA, M ; SOLER, D ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 14-19
    Konferenz
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    EXAFS study on poly-Si1-xGex films prepared by reactive thermal CVD method
    WAKAGI, Masatoshi ; YONAMOTO, Yoshiki ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 352 (2006), Heft 30-31, S. 3191-3195
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Morphological features of diamond-like carbon films deposited by plasma-enhanced CVD
    SUN, Z
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 261 (2000), Heft 1-3, S. 211-217
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Influence of growth temperature on the microcrystallinity and native defect structure of hydrogenated amorphous silicon
    HÄRTING, M ; BRITTON, D. T ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 103-107
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Substrate temperature dependence of microcrystalline silicon growth by PECVD technique
    MUKHOPADHYAY, Sumita ; CHOWDHURY, Amartya ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1045-1048
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Microstructure analysis of a-SiC:H thin films grown by high-growth-rate PECVD
    RICCIARDI, C ; PRIMICELI, A ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1380-1383
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dynamics of low temperature PECVD growth of microcrystalline silicon thin films : Impact of substrate surface treatments
    LOSURDO, M ; GIANGREGORIO, M. M ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 906-910
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Silicon-germanium films prepared from SiH4 and GeF4by low frequency plasma deposition
    AMBROSIO, R ; TORRES, A ; et al.
    In: Non-Crystalline Solids 7: Proceedings of the 7th International Workshop on Non-Crystalline Solids, Mexico City, Jg. 329 (2003), Heft 1-3, S. 134-139
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The nc-Si films with controlled crystal structure and electrical conductivity via the re-crystallization approach
    FEI, YANG ; XIANG, LI ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 359 (2013), S. 40-45
    academicJournal
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    Transition from amorphous to microcrystalline Si:H: effects of substrate temperature and hydrogen dilution
    RAY, S ; MUKHOPADHYAY, S ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part B, Jg. 299302 (2002), S. 761-766
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Time-resolved layer thickness behavior of microcrystalline and amorphous silicon samples after switching on a hydrogen/silane VHF plasma
    TERASA, R ; ALBERT, M ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 58-62
    Konferenz
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    Role of grains in protocrystalline silicon layers grown at very low substrate temperatures and studied by atomic force microscopy
    MATES, T ; FEJFAR, A ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part B, Jg. 299302 (2002), S. 767-771
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ion bombardment effects on the microcrystalline silicon growth mechanisms and structure
    KALACHE, B ; KOSAREV, A. I ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 63-67
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Hydrogen related bonding structure in hydrogenated polymorphous and microcrystalline silicon
    VIGNOLI, S ; FONTCUBERTA I MORRAL, A ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 220-225
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A comparison of structures and properties of SiNx and SiOx films prepared by PECVD
    XIANGDONG, XU ; LIANGCHANG, ZHANG ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 358 (2012), Heft 1, S. 99-106
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Effects of nitrogen incorporation on structural properties of fluorinated amorphous carbon films
    YOKOMICHI, H ; MASUDA, A
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 271 (2000), Heft 1-2, S. 147-151
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Crystallization of amorphous silicon-germanium films deposited by low pressure chemical vapor deposition
    GUILLET, D ; SARRET, M ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 266-69 (2000), S. 689-693
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Mass and bond density measurements for PECVD a-SiCx:H thin films using Fourier transform-infrared spectroscopy
    KING, S. W ; BIELEFELD, J ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 357 (2011), Heft 21, S. 3602-3615
    academicJournal
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    Dependence of chemical composition and bonding of amorphous SiC on deposition temperature and the choice of substrate
    LI, WANG
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 357 (2011), Heft 3, S. 1063-1069
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dissolution of thin SiO2-coatings - Characterization and evaluation
    KLAUSE, M ; ROTHHAAR, U ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 356 (2010), Heft 3, S. 141-146
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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