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    Solution processed flexible resistive switching memory based on Al-In-O self-mixing layer
    Duan, Weijie ; Rao, Chang ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 124 (2018-09-14), S. 104501-104501
    Online unknown
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    Microstructures and surface step-induced antiphase boundaries in epitaxial ferroelectric Ba0.6Sr0.4TiO3 thin film on MgO
    Lin, Yuan ; Chu, Ching-Wu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-03-01), S. 3188-3192
    Online unknown
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    Ultraviolet-infrared optical properties of highly (100)-oriented LaNiO3 thin films on Pt–Ti–SiO2–Si wafer
    Liang, Q. ; Chu, J. H. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 90 (2001-09-15), S. 2699-2702
    Online unknown
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    Conductive atomic force microscopy study of InGaN films grown by hot-wall epitaxy with a mixed (Ga+In) source
    Iwata, Futoshi ; Ishida, Akihiro ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-08-01), S. 1670-1673
    Online unknown
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    Optical properties of ZnSe1−xSx epilayers grown on misoriented GaAs substrates
    Tu, S. L. ; Lan, W. H. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-08-15), S. 2245-2250
    Online unknown
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    Defect mechanisms in degradation of InGaAsP long‐wavelength edge‐emitting light‐emitting diodes
    Luther, L. C. ; Nakahara, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 69 (1991-05-15), S. 6974-6978
    Online unknown
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    Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon films deposited under negative substrate bias
    Chu, V. ; Wagner, Sigurd ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 69 (1991-03-01), S. 2942-2950
    Online unknown
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    Strain-less directed self-assembly of Si nanocrystals on patterned SiO2 substrate
    Chu, Sheng ; Hu, Hao ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 112 (2012-09-01), S. 054311-54311
    Online unknown
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    Influence of the substrate misorientation on the properties of N-polar InGaN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures
    DenBaars, Steven P. ; Keller, Sarah L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 104 (2008-11-01), S. 093510-93510
    Online unknown
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    Optical properties of SrTiO3 thin films deposited by radio-frequency magnetron sputtering at various substrate temperatures
    Liu, S. J. ; Huang, Z. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-02-01), S. 033515-33515
    Online unknown
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    Improvement of interfacial and dielectric properties of sputtered Ta2O5 thin films by substrate biasing and the underlying mechanism
    Huang, A. P. ; Chu, Paul K.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 97 (2005-06-01), S. 114106-114106
    Online unknown
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    Defect structure in III‐V compound semiconductors: Generation and evolution of defect structures in InGaAs and InGaAsP epitaxial layer grown by hydride transport vapor‐phase epitaxy
    Karlicek, R. F. ; Nakahara, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 59 (1986-05-15), S. 3441-3447
    Online unknown
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    Epitaxial Growth of Silicon on Hexagonal Silicon Carbide
    Tallman, R. L. ; Chu, T.L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1966-03-15), S. 1588-1593
    Online unknown
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