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    150-GHz RF SOI-CMOS Technology in Ultrathin Regime on Organic Substrate.
    Lecavelier des Etangs-Levallois, Aurélien ; Dubois, Emmanuel ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), Heft 11, S. 1510-1512
    Online academicJournal
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    High-Performance Silicon Nanowire Gate-All-Around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-Compatible Process.
    Song, Yi ; Zhou, Huajie ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-12-01), Heft 12, S. 1377-1379
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Mobility Enhancement in P-Type SnO Thin-Film Transistors via Ni Incorporation by Co-Sputtering.
    Hsu, Shu-Ming ; Yang, Cheng-En ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-02-01), Heft 2, S. 228-231
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Novel Void Embedded Design for Total Ionizing Dose Hardening of Silicon-on-Insulator MOSFET.
    Liu, Qiang ; Zhou, Hongyang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-11-01), Heft 11, S. 1814-1817
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Bidirectional ESD Protection Device Using PNP With pMOS-Controlled Nwell Bias.
    Lai, Da-Wei ; de Raad, Gijs ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-03-01), Heft 3, S. 331-334
    Online academicJournal
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    Heterogeneously Integrated Vapor–Liquid–Solid Grown Silicon Probes/(111) and Silicon MOSFETs/(100).
    Okugawa, Akihiro ; Mayumi, Kotaro ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-05-01), Heft 5, S. 683-685
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    InAs Planar Nanowire Gate-All-Around MOSFETs on GaAs Substrates by Selective Lateral Epitaxy.
    Zhang, Chen ; Choi, Wonsik ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-07-01), Heft 7, S. 663-665
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
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