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    The Construction of Fe-Compounds Doped Porous Carbon Nanofiber and Carbon Nanotube Composite Material by One-Step Carbonization and CVD for Li-Ion Capacitor
    Wang, Liyuan ; Lv, Yi ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 166 (2019), S. A1223- (8S.)
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    CVD Polycrystalline Graphene as Sensing Film of Extended-Gate ISFET for Low-Drift pH Sensor
    Gao, Ming ; Li, Bochang ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 168 (2021-06-01), S. 067520-67520
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    Garnet-Type Li7La3Zr2O12Solid Electrolyte Thin Films Grown by CO2-Laser Assisted CVD for All-Solid-State Batteries
    Bruns, Michael ; Loho, Christoph ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 164 (2016-11-22), S. A6131- (9S.)
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    CVD-Synthesis of MCMB/CNTs Hybrids with Low Specific Surface Area for Supercapacitors
    Fang, Changqing ; Zhang, Qingling ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 164 (2017), S. A1845- (7S.)
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    Functionalization of CVD Grown Graphene with Downstream Oxygen Plasma Treatment for Glucose Sensors
    Kuo, Hsiu-An ; Tu, Chao-Wei ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 164 (2017), S. B336- (6S.)
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    Low Pressure CVD of Electrochromic WO3at 400°C
    Papadimitropoulos, George ; Louloudakis, D. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 162 (2015), S. H579- (4S.)
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    CVD Derived Vanadium Oxide Nano-Sphere-Carbon Nanotube (CNT) Nano-Composite Hetero-Structures: High Energy Supercapacitors
    Poston, James A. ; Manivannan, Ayyakkannu ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 160 (2013), S. A1118- (10S.)
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    Copper Barrier Properties of Low Dielectric Constant SiOCNH Film Deposited by Plasma-Enhanced CVD
    Ishimaru, Tomomi ; Ohdaira, Toshiyuki ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 151 (2003-12-09), S. C56- (6S.)
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    Analysis and Modeling of Low Pressure CVD of Silicon Nitride from a Silane‐Ammonia Mixture: I. Experimental Study and Determination of a Gaseous Phase Mechanism
    Yacoubi, Khalid ; Couderc, Jean‐Pierre ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 146 (1999-08-01), S. 3009-3017
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    Carboxylic Group as the Origin of Electrical Performance Degradation during the Transfer Process of CVD Growth Graphene
    Sul, Onejae ; Seul Ki Hong ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 159 (2012), S. K107- (3S.)
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    Interconnection Formation by Doping Chemical‐Vapor‐Deposition Aluminum with Copper Simultaneously: Al‐Cu CVD
    Kondoh, Eiichi ; Ohta, Tomohiro ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-12-01), S. 3494-3499
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    Film Properties of CVD Titanium Nitride Deposited with Organometallic Precursors at Low Pressure Using Inert Gases, Ammonia, or Remote Activation
    Koch, F. ; Intemann, A. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 140 (1993-11-01), S. 3215-3222
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    Analysis and Modeling of Low Pressure CVD of Silicon Nitride from a Silane‐Ammonia Mixture: II. Deposition Modeling
    Yacoubi, Khalid ; Couderc, Jean‐Pierre ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 146 (1999-08-01), S. 3018-3027
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    Effect of Oxygen Post Plasma Treatment on Characteristics of Electron Cyclotron Resonance CVD Fluorine‐Doped Silicon Dioxide Films Using SiF4 and O 2 Gas Sources
    Lee, Seoghyeong ; Park, Jong-Wan
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 146 (1999-02-01), S. 697-701
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    Three‐Dimensional Predictions of Silicon Deposition in a Barrel Type CVD Reactor
    Yang, L. ; Mahajan, R. L. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 139 (1992-09-01), S. 2666-2673
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    Investigation on Leakage Current Reduction of Photo‐CVD Tantalum Oxide Films Accomplished by Active Oxygen Annealing
    Tarui, Yasuo ; Matsui, M. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 139 (1992), S. 320-328
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    FTIR Studies of the Adsorption/Desorption Behavior of Cu Chemical Vapor Deposition Precursors on Silica: IV . Interaction of (1,1,1,5,5,5‐hexafluoroacetylacetonato)(2‐butyne)copper(I), and (1,1,1,5,5,5,‐hexafluoroacetylacetonato)(vinyltrimethylsilane)copper(I), with Passivated Silica Surfaces and Comparison to Selective CVD of Cu
    Hampden-Smith, Mark J. ; Farkas, J. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-12-01), S. 3547-3555
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    Chemical Boundary Layers in CVD: II . Reversible Reactions
    Giling, L.J. ; M.H.J.M. de Croon ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 137 (1990-11-01), S. 3606-3612
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    The Effect of CH 4 on CVD β ‐ SiC Growth
    Hon, M. H. ; Kuo, D. H. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 137 (1990-11-01), S. 3688-3692
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    Silicon Dioxide Deposition by Atmospheric Pressure and Low‐Temperature CVD Using TEOS and Ozone
    Tokumasu, N. ; Maeda, Kazuo ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 137 (1990-09-01), S. 2883-2887
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