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    Mechanisms for enhancement of sensing performance in CMOS ISFET arrays using reactive ion etching
    Moser, Nicolas ; Georgiou, Pantelis ; et al.
    In: Sensors and Actuators B: Chemical, Jg. 292 (2019-08-01), S. 297-307
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    Contrast of latch-up induced by pulsed gamma rays in CMOS circuits after neutron irradiation and TID accumulation
    Yang, Shanchao ; Chen, Wei ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 98 (2019-07-01), S. 42-48
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    Performance improvement of chip-level CMOS-integrated ReRAM cells through material optimization
    Demirci, Tugba ; Leblebici, Yusuf ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 214 (2019-06-01), S. 74-80
    Online unknown
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    Improved digital performance of hybrid CMOS inverter with Si p-MOSFET and InGaAs n-MOSFET in the nanometer regime
    Tewari, Suchismita ; De, Suchismita ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 211 (2019-04-01), S. 18-25
    Online unknown
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    Determination of DC equivalent hot carrier stress times in scaled CMOS devices using novel AC stress methodology
    Kerber, Andreas ; Nigam, T.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 93 (2019-02-01), S. 98-101
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    Evaluation of thin film p-type single crystal silicon for use as a CMOS Resistance Temperature Detector (RTD)
    Haneef, I. ; Udrea, Florin ; et al.
    In: Sensors and Actuators A: Physical, Jg. 283 (2018-11-01), S. 159-168
    Online unknown
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    Radiation-tolerance analysis of I-gate n-MOSFET according to isolation oxide module in the CMOS bulk process
    Cho, Seong-Ik ; Lee, Nam-Ho ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 200 (2018-11-01), S. 45-50
    Online unknown
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    Development of a current mirror-integrated pressure sensor using CMOS-MEMS cofabrication techniques
    Pradeep Kumar Rathore ; Akhtar, Jamil ; et al.
    In: Microelectronics International, Jg. 35 (2018-10-01), S. 203-210
    Online unknown
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    Intrinsic ESD robustness on new high voltage N/PMOS devices in 28 nm FDSOI UTBB CMOS technology through TLP/VFTLP characterizations
    Jacquier, Blaise ; Haendler, Sebastien ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 126 (2021-11-01), S. 114370-114370
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)
    Safonov, Sergey O. ; Stakhin, Veniamin G. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 79 (2017-12-01), S. 416-425
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    CMOS single cell dielectrophoresis cytometer
    Mohammad, Kaveh ; Thomson, Douglas J. ; et al.
    In: Sensors and Actuators B: Chemical, Jg. 249 (2017-10-01), S. 246-255
    Online unknown
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    Local reaction fields on a CMOS sensor array utilizing a magneto-Archimedes levitation–based magnetic particle-arrangement method
    Nakazato, Kazuo ; Fujimoto, Satoshi ; et al.
    In: Sensors and Actuators A: Physical, Jg. 323 (2021-06-01), S. 112655-112655
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Sub-20 nm multilayer nanopillar patterning for hybrid SET/CMOS integration
    Brianceau, P. ; Rommel, M. ; et al.
    2020
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A double snapback SCR ESD protection scheme for 28 nm CMOS process
    Wong, Hei ; Jin, Hao ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 84 (2018-05-01), S. 20-25
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Atomic layer deposited HfO2 ultra-thin films on different crystallographic orientation Ge for CMOS applications
    Mahajan, Ashok M. ; Patil, Vilas S. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 654 (2018-05-01), S. 30-37
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A novel fabrication method for co-integrating ISFET with damage-free sensing oxide and threshold voltage-tunable CMOS read-out circuits
    Mo, Hyun-Sun ; Kim, Sihyun ; et al.
    In: Sensors and Actuators B: Chemical, Jg. 260 (2018-05-01), S. 627-634
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A monolithically integrated butt-coupled 3D bulk CMOS Si photodetector array with a fiber couplers platform on a single-chip
    Iman Sabri Alirezaei ; Vierhaus, Joerg ; et al.
    In: Sensors and Actuators A: Physical, Jg. 266 (2017-10-01), S. 361-367
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Influences of silicon-rich shallow trench isolation on total ionizing dose hardening and gate oxide integrity in a 130 nm partially depleted SOI CMOS technology
    Hu, Zhiyuan ; Song, Lei ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 74 (2017-07-01), S. 1-8
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    CMOS compatible nanoscale thermal conductivity detector for gas sensing applications
    Ricoul, Florence ; Gely, Marc ; et al.
    In: Sensors and Actuators A: Physical, Jg. 261 (2017-07-01), S. 9-13
    Online unknown
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    Single Event Effects in 0.18 μm Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SEU and SEFI
    Feng, Jie ; Zhou, Dong ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 117 (2021-02-01), S. 114038-114038
    Online unknown
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