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    Angular dependency on heavy-ion-induced single-event multiple transients (SEMT) in 65 nm twin-well and triple-well CMOS technology
    Chen, Jianjun ; Fang, Liang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 91 (2018-12-01), S. 278-282
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    Single Event Effects in 0.18 μm Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SEU and SEFI
    Feng, Jie ; Zhou, Dong ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 117 (2021-02-01), S. 114038-114038
    Online unknown
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    Single event transient sensitivity analysis of different 32 nm CMOS majority voters designs
    Butzen, Paulo F. ; Oliveira, I.F.V. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2019-09-01, S. 113369-113369
    Online unknown
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    Reliability assessment of CMOS differential cross-coupled LC oscillators and a novel on chip self-healing approach against aging phenomena
    I. Faik Baskaya ; Afacan, Engin ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 54 (2014-02-01), S. 397-403
    Online unknown
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    PVT variations aware low leakage INDEP approach for nanoscale CMOS circuits
    Raj, Balwinder ; Vijay Kumar Sharma ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 54 (2014), S. 90-99
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    3-D stacked CMOS inverters using Pt/HfO2 on Si substrate for vertical integrated CMOS applications
    Cho, Won-Ju ; Oh, Soon-Young ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 85 (2008-05-01), S. 1206-1209
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    Impact of single-defects on the variability of CMOS inverter circuits
    Enichlmair, Hubert ; Waltl, Michael ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 126 (2021-11-01), S. 114275-114275
    Online unknown
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    Process variation aware dual-Vth assignment technique for low power nanoscale CMOS design
    Chandorkar, Saurabh A. ; Chandorkar, A.N. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 51 (2011-12-01), S. 2357-2365
    Online unknown
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    Design of a CMOS phase to digital transducer for optical incremental sensors
    Hsieh, Kaun-Chun ; Huang, Yu-Chung ; et al.
    In: Sensors and Actuators A: Physical, Jg. 170 (2011-11-01), S. 106-113
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Challenges and opportunity in performance, variability and reliability in sub-45nm CMOS technologies
    Boeuf, Frederic ; Arnaud, Franck ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 51 (2011-09-01), S. 1508-1514
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Design of CMOS logic gates with enhanced robustness against aging degradation
    V. Dal Bem ; Ribas, Renato P. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 52 (2012-09-01), S. 1822-1826
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Gate delay variability estimation method for parametric yield improvement in nanometer CMOS technology
    Reis, Andre I. ; Digeorgia N. da Silva ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-09-01), S. 1223-1229
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Multiple type biosensors fabricated using the CMOS BioMEMS platform
    Juang, Ying-Zong ; Lin, Hung-Yin ; et al.
    In: Sensors and Actuators B: Chemical, Jg. 144 (2010-02-01), S. 407-412
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    Electron- and ion-beam lithography for the fabrication of nanomechanical devices integrated on CMOS circuits
    Rius, Gemma ; Pérez-Murano, Francesc ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-04-01), S. 1046-1049
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    Secondary ESD clamp circuit for CDM protection of over 6Gbit/s SerDes application in 40nm CMOS
    Okushima, Mototsugu ; Tsuruta, Junji
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 53 (2013-02-01), S. 215-220
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    Overview on ESD protection design for mixed-voltage I/O interfaces with high-voltage-tolerant power-rail ESD clamp circuits in low-voltage thin-oxide CMOS technology
    Chang, Wei-Jen ; Ker, Ming-Dou
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007), S. 27-35
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Metallic bonding methodology for heterogeneous integration of optoelectronic dies to CMOS circuits
    Konstantinidis, George ; Kostopoulos, A. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 85 (2008-04-01), S. 727-732
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Investigation on NMOS-based power-rail ESD clamp circuits with gate-driven mechanism in a 0.13-μm CMOS technology
    Chen, Shih-Hung ; Ker, Ming-Dou
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-06-01), S. 821-830
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    Emulating switch-level models of CMOS circuits
    Ejlali, Alireza ; Seyed Ghassem Miremadi
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-02-01), S. 204-212
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    Improvement of a CMOS dual photosensor for laser distance measurement by a floating PN junction
    Zivojinovic, P. ; Lescure, Marc ; et al.
    In: Sensors and Actuators A: Physical, Jg. 115 (2004-09-01), S. 273-279
    Online unknown
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